[实用新型]一种介质填充腔体滤波器有效

专利信息
申请号: 202020125708.0 申请日: 2020-01-20
公开(公告)号: CN211125989U 公开(公告)日: 2020-07-28
发明(设计)人: 潘锦;杜正军;姬新阳;杨德强;刘贤峰 申请(专利权)人: 成都北斗天线工程技术有限公司;电子科技大学
主分类号: H01P1/208 分类号: H01P1/208
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川省成都市成华区*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 介质 填充 滤波器
【权利要求书】:

1.一种介质填充腔体滤波器,其特征在于,包括:至少两个介质填充腔体谐振器和至少一个连接体;

所述介质填充腔体谐振器和连接体高度相同且都为矩形体,连接体的宽度小于等于介质填充腔体谐振器的宽度,介质填充腔体谐振器和连接体的连接顺序是介质填充腔体谐振器的侧面与连接体的一侧面连接固定,连接体的另一侧面与另一个介质填充腔体谐振器的侧面连接固定;

介质填充腔体谐振器上表面或下表面开有一个用于调试谐振频率的调谐孔,调谐孔为盲孔;

介质填充腔体谐振器和连接体表面以及调谐孔的内壁都覆盖一层银作为导电层;

介质填充腔体谐振器和连接体的表面去掉矩形形状的导电层,该矩形区域位于两调谐孔之间,并不接触到调谐孔;该矩形区域中部设有一块形状为矩形的负耦合薄片,负耦合薄片同时覆盖在介质填充腔体谐振器和连接体的表面;

所述负耦合薄片由镀银方式实现,用于实现两个介质填充腔体谐振器之间的电容耦合;

覆盖所述介质填充腔体滤波器的本体表面、调谐孔表面和负耦合的表面导电层。

2.根据权利要求1所述的一种介质填充腔体滤波器,其特征在于:负耦合薄片的长度和宽度与所述介质填充腔体滤波器的传输零点的频率相关。

3.根据权利要求2所述的一种介质填充腔体滤波器,其特征在于:负耦合薄片的个数小于等于所述介质填充腔体滤波器的传输零点的个数。

4.根据权利要求3所述的一种介质填充腔体滤波器,其特征在于:负耦合薄片所处位置相接的两个介质填充腔体谐振器与所述介质填充腔体滤波器的传输零点的频率相关。

5.根据权利要求4所述的一种介质填充腔体滤波器,其特征在于:负耦合薄片的面积与所述负耦合片所处位置相接的两个介质填充腔体谐振器的电容耦合的耦合量相关;

负耦合薄片的宽度不变的情况下,负耦合薄片的长度与所述负耦合薄片所处位置相接的两个介质填充腔体谐振器的电容耦合的耦合量相关;

负耦合薄片的长度不变的情况下,负耦合薄片的宽度与所述负耦合薄片所处位置相接的两个介质填充腔体谐振器的电容耦合的耦合量相关;

负耦合薄片的面积与所述负耦合薄片所在的介质填充腔体谐振器的谐振频率相关。

6.根据权利要求5所述的一种介质填充腔体滤波器,其特征在于:所述介质填充腔体谐振器和连接体的制作材料为陶瓷。

7.根据权利要求6所述的一种介质填充腔体滤波器,其特征在于:所述两个介质填充腔体谐振之间的连接体在介质填充腔体谐振侧面的中间位置或者侧面的边缘位置。

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