[实用新型]一种ESD防护器件结构

权利要求书

1.一种ESD防护器件结构，其特征在于，包括P型衬底（11）、第一N型掩埋层（21）至第二N型掩埋层（22）、第一P型外延层（31）至第四P型外延层（34）、第一N阱扩散区（41）至第三N阱扩散区（43）、第一P+扩散区（51）至第七P+扩散区（57）、以及第一N+扩散区（61）至第八N+扩散区（68）；

所述P型衬底（11）上设有第一N型掩埋层（21）与第二N型掩埋层（22）；所述P型衬底（11）、第一N型掩埋层（21）和第二N型掩埋层（22）上生长有P型外延层；该P型外延层上分别扩散有第一N阱扩散区（41），第二N阱扩散区（42）与第三N阱扩散区（43）；第一N阱扩散区（41）在第一N型掩埋层（21）上方，第二N阱扩散区（42）与第三N阱扩散区（43）在第二N型掩埋层（22）上方，三个N阱扩散区将P型外延层分割为第一P型外延层（31）、第二P型外延层（32）、第三P型外延层（33）以及第四P型外延层（34）；

所述第一P+扩散区（51）和第一N+扩散区（61）相邻，且扩散于第一P型外延层（31）上；第三P+扩散区（53）和第四N+扩散区（64）相邻，且扩散于第二P型外延层（32）上；所述第一N阱扩散区（41）上设有第二P+扩散区（52）、第二N+扩散区（62）和第三N+扩散区（63），且所述第二N+扩散区（62）的一部分延伸至第一P型外延层（31）之中，所述第三N+扩散区（63）的一部分延伸至第二P型外延层（32）之中；所述第三P型外延层（33）上设有第五P+扩散区（55）、第六N+扩散区（66）和第七N+扩散区（67），且第六N+扩散区（66）和第七N+扩散区（67）分布于第五P+扩散区（55）两侧；所述第二N阱扩散区（42）上设有第四P+扩散区（54）和第五N+扩散区（65），且所述第五N+扩散区（65）的一部分延伸至第三P型外延层（33）之中；所述第三N阱扩散区（43）上设有第六P+扩散区（56）和第八N+扩散区（68），且所述第八N+扩散区（68）的一部分延伸至第三P型外延层（33）之中；所述第四P型外延层（34）上设有第七P+扩散区（57）。

2.根据权利要求1所述的一种ESD防护器件结构，其特征在于，第一P+扩散区（51）至第七P+扩散区（57）上分别设有接触孔阵列；所述第一N+扩散区（61）、第四N+扩散区（64）、第六N+扩散区（66）和第七N+扩散区（67）上分别设有接触孔阵列；所述第二N+扩散区（62）、第三N+扩散区（63）、第五N+扩散区（65）和第八N+扩散区（68）上没有接触孔阵列。

3.根据权利要求1所述的一种ESD防护器件结构，其特征在于，所述第一P+扩散区（51）、第一N+扩散区（61）、第四N+扩散区（64）、第三P+扩散区（53）、第四P+扩散区（54）、第六P+扩散区（56）和第七P+扩散区（57）通过其各自的接触孔阵列和金属连接线连接至GND管脚（81）；所述第二P+扩散区（52）、第六N+扩散区（66）、第五P+扩散区（55）和第七N+扩散区（67）通过其各自的接触孔阵列和金属连接线连接至I/O管脚（82）；所述第二N+扩散区（62）、第三N+扩散区（63）、第五N+扩散区（65）和第八N+扩散区（68）没有引出金属连接线。