[实用新型]半导体器件

说明书

本实用新型涉及一种半导体器件，包括：第一介质层，第一介质层内具有第一窗口；第一连通结构，位于第一窗口内；第二介质层，位于第一介质层上，第二介质层具有第二窗口，第二窗口至少显露部分第一连通结构；第一阻挡层，位于第二窗口的侧壁及底部，第一阻挡层包括开口，开口显露第一连通结构；第二连通结构，位于第二窗口内。上述半导体器件不仅能避免第二连通材料扩散到第一介质层和第二介质层中，而且能提高第一连通结构与第二连通结构之间的电传导效率，提高器件性能。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，特别是涉及一种半导体器件。

背景技术

集成电路中包括很多连通结构，这些连通结构的材料往往容易发生扩散，如果连通材料扩散到介质层中就有可能导致短路，影响器件良率。

实用新型内容

基于此，针对上述问题，本实用新型提供一种半导体器件。

本实用新型提供一种半导体器件，包括：第一介质层，所述第一介质层内具有第一窗口；第一连通结构，位于所述第一窗口内；第二介质层，位于所述第一介质层上，所述第二介质层具有第二窗口，所述第二窗口至少显露部分所述第一连通结构；第一阻挡层，位于所述第二窗口的侧壁及底部，所述第一阻挡层包括开口，所述开口显露所述第一连通结构；第二连通结构，位于所述第二窗口内。

上述半导体器件不仅能避免第二连通材料扩散到第一介质层和第二介质层中，而且能提高第一连通结构与第二连通结构之间的电传导效率，第一阻挡层位于第二窗口的侧壁及底部能避免第二连通材料扩散到第一介质层和第二介质层中，第一阻挡层包括开口，开口显露第一连通结构，使得第一连通结构与第二连通结构能直接接触，使得第一连通结构与第二连通结构之间的电阻降低，能提高第一连通结构与第二连通结构之间电传导效率，提高器件性能。

在其中一个实施例中，所述第一连通结构包括起边，所述起边位于所述第一连通结构与所述第一介质层的交界处，以使所述第一阻挡层包括所述开口。第一连通结构包括起边，使得在形成第一阻挡层时，第一阻挡层在起边处形成开口，使得第一连通结构与第二连通结构能直接接触，使得第一连通结构与第二连通结构之间的电阻降低，能提高第一连通结构与第二连通结构之间电传导效率，提高器件性能。

在其中一个实施例中，至少所述第一窗口上部的侧壁为倾斜侧壁，以使所述第一连通结构与所述第一介质层的交界处包括起边。第一窗口的侧壁包括倾斜侧壁，在形成第一连通结构时，首先于第一窗口内填充第一连通材料层，然后通过平坦化工艺去除多余的第一连通材料层，在进行平坦化处理时，由于第一窗口的侧壁具有倾斜侧壁，使得形成的第一连通结构具有起边，使得在形成第一阻挡层时，第一阻挡层在起边处形成开口，使得第一连通结构与第二连通结构能直接接触，使得第一连通结构与第二连通结构之间的电阻降低，能提高第一连通结构与第二连通结构之间电传导效率，提高器件性能。

在其中一个实施例中，所述第一窗口的形状包括漏斗状。第一窗口的形状包括漏斗状，在形成第一连通结构时，首先于第一窗口内填充第一连通材料层，然后通过平坦化工艺去除多余的第一连通材料层，在进行平坦化处理时，由于第一窗口的形状是漏斗状，使得形成的第一连通结构的上表面边缘都具有起边，使得在形成第一阻挡层时，第一阻挡层在起边处形成环状开口，使得第一连通结构与第二连通结构能直接接触，使得第一连通结构与第二连通结构之间的电阻降低，能提高第一连通结构与第二连通结构之间电传导效率，提高器件性能。

在其中一个实施例中，所述开口的形状包括环状，所述开口位于所述第一连通结构与所述第一介质层的交界处。