[实用新型]一种低电源电压宽共模输入范围运算放大器电路有效

专利信息
申请号: 202020077129.3 申请日: 2020-01-14
公开(公告)号: CN211698757U 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 董维斌;陈壮梁;徐延超 申请(专利权)人: 武汉韦尔半导体有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 乐综胜
地址: 430074 湖北省武汉市东湖新技术开*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 电源 电压 宽共模 输入 范围 运算放大器 电路
【权利要求书】:

1.一种低电源电压宽共模输入范围运算放大器电路,其特征在于,包括高共模输入电压下的差分输入对、低共模输入电压下的差分输入对、选择电路和输出级,高共模输入电压下的差分输入对的输入端与选择电路的输入端连接,并连接有电流沉Ibias0,高共模输入电压下的差分输入对的输出端与输出级的输入端连接,选择电路的输出端与低共模输入电压下的差分输入对的输入端连接,低共模输入电压下的差分输入对的输出端与输出级的输入端连接。

2.根据权利要求1所述的低电源电压宽共模输入范围运算放大器电路,其特征在于,高共模输入电压下的差分输入对包括标准NMOS管NM1和标准NMOS管NM3,标准NMOS管NM1的源极和标准NMOS管NM3的源极与选择电路的输入端连接,并与电流沉Ibias0连接,标准NMOS管NM1的漏极与输出级的节点X连接,标准NMOS管NM3的漏极与输出级的节点Y连接,标准NMOS管NM1的栅极与输入端VIN1连接,标准NMOS管NM3的栅极与输入端VIN2连接。

3.根据权利要求1所述的低电源电压宽共模输入范围运算放大器电路,其特征在于,低共模输入电压下的差分输入对包括本征NMOS管NM4和本征NMOS管NM5,本征NMOS管NM4的源极与本征NMOS管NM5的源极连接,并与选择电路连接,本征NMOS管NM4的漏极和本征NMOS管NM5的漏极分别与输出级的节点X和节点Y连接,本征NMOS管NM4的栅极与输入端VIN1连接,本征NMOS管NM5的栅极与输入端VIN2连接。

4.根据权利要求1所述的低电源电压宽共模输入范围运算放大器电路,其特征在于,选择电路包括标准NMOS管NM2,标准NMOS管NM2的源极与电流沉Ibias0连接,标准NMOS管NM2的漏极与低共模输入电压下的差分输入对连接,标准NMOS管NM2的栅极与基准电压VR连接。

5.根据权利要求1所述的低电源电压宽共模输入范围运算放大器电路,其特征在于,低共模输入电压下的差分输入对与输出级之间连接有防导通电路,防导通电路包括本征NMOS管NM6和本征NMOS管NM7,本征NMOS管NM6的源极和本征NMOS管NM7的源极分别与低共模输入电压下的差分输入对连接,本征NMOS管NM6的漏极和本征NMOS管NM7的漏极分别与输出级连接,本征NMOS管NM6的栅极与本征NMOS管NM7的栅极连接,并与基准电压VR连接。

6.根据权利要求1所述的低电源电压宽共模输入范围运算放大器电路,其特征在于,输出级包括PMOS共源共栅电路和第一电流镜,PMOS共源共栅电路的一端与第一电流镜的输入端连接,PMOS共源共栅电路的另一端与第一电流镜的输出端连接,并作为整体电路的输出端。

7.根据权利要求1所述的低电源电压宽共模输入范围运算放大器电路,其特征在于,输出级包括PMOS共源共栅电路和NMOS共源共栅电路,PMOS共源共栅电路的一端与NMOS共源共栅电路的一端连接,并记为节点M作为整体电路的一个输出端,PMOS共源共栅电路的另一端与NMOS共源共栅电路的另一端连接,并记为节点N作为整体电路的另一输出端。

8.根据权利要求7所述的低电源电压宽共模输入范围运算放大器电路,其特征在于,输出级还包括Class-AB输出级,PMOS共源共栅电路的一端与节点M连接,且与NMOS共源共栅电路的一端连接,并作为Class-AB输出级的一个输入端,PMOS共源共栅电路的另一端与节点N连接,且与NMOS共源共栅电路的另一端连接,并作为Class-AB输出级的另一个输入端,Class-AB输出级的输出端与整体电路的输出端连接。

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