[实用新型]薄膜电阻元件

说明书

本申请提供了一种薄膜电阻元件，将氮化钽(TaN)层设置在基板的上表面上，五氧化二钽(Ta₂O₅)层设置于氮化钽层上，以及二电极层分开设置于五氧化二钽层上或于氮化钽层与五氧化二钽层的两端，因此在使用时产生的高温下，本申请的薄膜电阻元件可降低氮化钽层的氧化速率以维持电阻值的恒定。

技术领域

本申请是关于一种薄膜电阻元件，特别有关一种耐高温的薄膜电阻元件。

背景技术

一般薄膜电阻元件在高温下使用时，或因长时间使用产生的高温作用下，会造成电阻元件中的电阻层氧化使得电阻失效。

考虑到现今电子设备多维持在运转状态，长时间的运作而不断产生的高温容易导致电阻元件损坏，除散热元件的使用外，对于耐高温的电阻元件本身亦同样有需求，本申请提出具耐高温结构的电阻元件的解决方案。

实用新型内容

为了达到上述申请目的，本申请提供一种薄膜电阻元件，在高温下使用时，仍能维持电阻的功能。

一种薄膜电阻元件，将氮化钽(TaN)层设置于基板的上表面上，五氧化二钽(Ta₂O₅)层实质覆盖于该氮化钽层上，以及二电极层分开地设置于氮化钽层与五氧化二钽层的两端或五氧化二钽层上，与氮化钽层及五氧化二钽层导通。

在一实施例中，还包含一保护层设置于五氧化二钽层上，以及二电极层从保护层露出。

在一实施例中，二电极层沿基板侧边延伸至基板的下表面。

在一实施例中，二电极层重叠、不重叠或部分重叠于氮化钽层与五氧化二钽层的两端。

在一实施例中，五氧化二钽层厚度为50-200纳米。

在一实施例中，氮化钽层及五氧化二钽层是以贴合、溅射或印刷工艺形成。

以下通过具体实施例配合所附的图式详加说明，当更容易了解本申请的目的、技术内容、特点及其所达成的功效。

附图说明

图1为本申请一实施例薄膜电阻元件的侧剖面示意图。

图2为本申请另一实施例薄膜电阻元件的侧剖面示意图。

图3为本申请又另一实施例薄膜电阻元件的侧剖面示意图。

符号说明：

10 薄膜电阻元件

11 基板

12 电极层

13 氮化钽层

14 五氧化二钽层

15 保护层

具体实施方式

以下将详述本申请的各实施例，并配合图式作为例示。除了这些详细说明之外，本申请亦可广泛地施行于其它的实施例中，任何所述实施例的轻易替代、修改、等效变化都包含在本申请的范围内，并以权利要求为准。在说明书的描述中，为了使读者对本申请有较完整的了解，提供了许多特定细节；然而，本申请可能在省略部分或全部特定细节的前提下，仍可实施。此外，众所周知的步骤或元件并未描述于细节中，以避免对本申请形成不必要的限制。图式中相同或类似的元件将以相同或类似符号来表示。特别注意的是，图式仅为示意之用，并非代表元件实际的尺寸或数量，有些细节可能未完全绘出，以求图式的简洁。

请参考图1，为本申请一实施例的薄膜电阻元件侧剖面示意图。在此实施例中，一薄膜电阻元件1包含一基板11、一氮化钽层13作为电阻层、一五氧化二钽层14作为过渡金属层及二电极层12。