[实用新型]基于硅芯重新分相的72对棒多晶硅还原炉

说明书

本实用新型公开了一种基于硅芯重新分相的72对棒多晶硅还原炉，包括72对硅芯，72对硅芯设置为8组，每组中的硅芯串联连接；8组硅芯在还原炉底盘上按同心圆布置形成6个分布圆，最外层为第一分布圆，向内依次递增；第一组共10对硅芯和第二组共11对硅芯设置于第一分布圆上，第三组共13对硅芯和第四组共5对硅芯设置于第二分布圆上，第五组共10对硅芯和第六组共5对硅芯设置于第三分布圆上，第七组共9对硅芯设置于第四分布圆上，第八组的6对硅芯设置于第五分布圆上，3对硅芯设置于第六分布圆上。本实用新型将72对硅芯重新分相以减少跨圈，并在同一圈硅芯施加相同的电流，为其提供同强度的热量，以保证还原炉热场分布均衡，便于工艺控制。

技术领域

本实用新型涉及多晶硅还原炉技术领域，尤其涉及一种基于硅芯重新分相的72对棒多晶硅还原炉。

背景技术

自改良西门子法进入国内以来，气相沉积反应器(还原炉)在国也开始了不断地改良优化，炉型从刚开始的9对棒到现在的72对棒甚至更大，不止是炉型在不断地创新，炉底盘的电极排列方式为了达到更理想的效果也在不断地优化改进，如正三角形、正六边形等等，但是对于现在我们所追求的大炉型，比如72对棒还原炉，采用现在常规的炉底盘电极分布方式(72对硅芯分为6组，每组12对，6圈布局，但硅芯跨圈布局)，以及传统的还原电源供电(六相电源供电)，在炉底盘规则分相的情况下，始终会造成同一相的多晶硅负载不在同一圈，多晶硅还原炉电源系统运行时，生长中的多晶硅产品质量受炉内温度影响很大，多晶硅负载不在同一圈时，同一相负载施加的电流产生的热量会为炉内同一圈多晶硅负载提供不同强度的热量，会导致炉内热场不均衡，不便于工艺控制。

实用新型内容

为了解决上述问题，本实用新型提出一种基于硅芯重新分相的72对棒多晶硅还原炉，将72对硅芯重新分相以减少跨圈，并在同一圈硅芯施加相同的电流，为炉内同一圈硅芯提供同强度的热量，以保证还原炉热场分布均衡，以便于工艺控制，具体技术方案如下：

一种基于硅芯重新分相的72对棒多晶硅还原炉，包括72对硅芯，所述72对硅芯设置为8组，每组中的硅芯串联连接；所述8组硅芯在还原炉底盘上按同心圆布置形成6个分布圆，最外层为第一分布圆，向内依次递增；第一组共10对硅芯和第二组共11对硅芯设置于第一分布圆上，第三组共13对硅芯和第四组共5对硅芯设置于第二分布圆上，第五组共10对硅芯和第六组共5对硅芯设置于第三分布圆上，第七组共9对硅芯设置于第四分布圆上，第八组共9对硅芯，其中6对硅芯设置于第五分布圆上，另外3对硅芯设置于第六分布圆上。

进一步的，还包括多个高压击穿柜，所述多个高压击穿柜与硅芯电连接并向硅芯加载电压以进行击穿和维持。

进一步的，所述高压击穿柜向同一组中的硅芯加载相同的击穿电压或维持电压。

进一步的，还包括功率控制柜，所述功率控制柜与硅芯电连接，在每组硅芯被击穿后以恒定电流加热该组硅芯。

本实用新型的有益效果在于：

本实用新型将72对硅芯重新分相以减少跨圈，使传统的多处跨圈降低至1处，并在同一圈硅芯施加相同的电流，为炉内同一圈硅芯提供同强度的热量，以保证还原炉热场分布均衡，便于工艺控制。同时，可减少运行中热场突变导致的缺相和异常，延长正常生长周期，增加产能目标。

附图说明

图1是本实用新型的72对硅芯的电极布置图；

附图标记：A1-第一组硅芯，B1-第三组硅芯，C1-第二组硅芯，D1-第四组硅芯，A2-第七组硅芯，B2-第五组硅芯，C2-第八组硅芯，D2-第六组硅芯；L-火线，N-零线。

具体实施方式