[实用新型]一种石墨烯/硫化铅/钙钛矿光电探测器有效
| 申请号： | 202020067440.X | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN211017103U | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 冷重钱;申钧;聂长斌;张之胜;杨俊;汤林龙;冯双龙;魏兴战;史浩飞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京元本知识产权代理事务所(普通合伙) 11308 | 代理人： | 熊传亚 |
| 地址： | 400714 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 硫化铅 钙钛矿 光电 探测器 | ||
1.一种石墨烯/硫化铅/钙钛矿光电探测器，其特征在于，包括衬底，从所述衬底往上依次铺设有石墨烯薄膜、金属电极、硫化铅层、三维钙钛矿层、二维钙钛矿层；其中，所述石墨烯薄膜上两端各铺设有一个所述金属电极，且所述石墨烯薄膜中间与所述硫化铅层接触。
2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述衬底包括带有二氧化硅层的硅片。
3.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述金属电极与所述衬底间铺设1-3层石墨烯薄膜。
4.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述金属电极包括金、银、铬/金、铬/银；其中，含铬的复合金属电极，铬位于石墨烯薄膜之上，金或银薄膜位于铬之上。
5.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述硫化铅层由粒径50-500nm的纳米晶粒或大小1-10nm的量子点构成。
6.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述三维钙钛矿层厚度为100-300nm。
7.根据权利要求6所述的光电探测器，其特征在于，所述三维钙钛矿层包括PbI2/MAI、PbCl2/MAI、PbI2/FAI、PbI2/PbCl2/MAI、PbI2/MACl/MAI体系。
8.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述二维钙钛矿层由多元环碘化胺和所述三维钙钛矿层中过量的PbI2反应生成。
9.根据权利要求8所述的光电探测器，其特征在于，所述多元环碘化胺由多元环胺与氢碘酸通过酸碱成盐、旋蒸及重结晶得到。
10.根据权利要求9所述的光电探测器，其特征在于，所述多元环胺包括：环丁胺、环戊胺、环己胺、环庚胺、环辛胺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
