[实用新型]基于电力电子补偿变电站防可控硅误触发系统有效
申请号: | 202020046411.5 | 申请日: | 2020-01-09 |
公开(公告)号: | CN210985971U | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 谭协初;张金贺;权丽娜;袁康 | 申请(专利权)人: | 济南拉斐叶电力科技有限公司 |
主分类号: | H02P13/00 | 分类号: | H02P13/00;H02J3/38 |
代理公司: | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人: | 葛钟 |
地址: | 250000 山东省济南市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 电力 电子 补偿 变电站 可控硅 触发 系统 | ||
1.一种基于电力电子补偿变电站防可控硅误触发系统,其特征在于,包括:变压器、可控硅组件、防误触模块以及控制电路,所述变压器、可控硅组件分别与所述控制电路连接;
所述变压器用于变换线路中电压并输出电压信号;
所述可控硅组件用于根据电压信号对可控硅单体进行导通;
所述防误触模块用于使得电压处于所述可控硅组件的工作电压;
所述控制电路用于根据电压信号控制可控硅组件以导通回路。
2.根据权利要求1所述的基于电力电子补偿变电站防可控硅误触发系统,其特征在于,所述变压器包括:
一次侧线圈、二次侧线圈,所述一次侧线圈包括第一触头和第二触头,所述二次侧线圈串联于线路中。
3.根据权利要求2所述的基于电力电子补偿变电站防可控硅误触发系统,其特征在于,所述可控硅组件包括:
第一可控硅单体、第二可控硅单体、第三可控硅单体以及第四可控硅单体;
所述第二可控硅单体与第一可控硅单体并联、所述第三可控硅单体与第四可控硅单体并联后与所述变压器的一次侧线圈串联。
4.根据权利要求3所述的基于电力电子补偿变电站防可控硅误触发系统,其特征在于,所述防误触模块包括:
第一电阻和电子开关,
所述第一电阻与所述电子开关串联后与所述变压器的一次侧线圈并联。
5.根据权利要求4所述的基于电力电子补偿变电站防可控硅误触发系统,其特征在于,所述防误触模块还包括:
第二电阻和第三电阻,
所述第二电阻的一端连接所述第一触头,另一端连接电位恒定点;
所述第三电阻的一端连接所述第二触头,另一端连接电位恒定点。
6.根据权利要求5所述的基于电力电子补偿变电站防可控硅误触发系统,其特征在于,所述防误触模块还包括:
第四电阻和压敏电阻;
所述第四电阻和压敏电阻串联后并联在所述变压器的一次侧线圈上。
7.根据权利要求1-6任一项所述的基于电力电子补偿变电站防可控硅误触发系统,其特征在于,所述控制电路包括:
中央处理器,用于根据所述变压器输出的电压信号控制可控硅组件以导通回路。
8.根据权利要求1所述的基于电力电子补偿变电站防可控硅误触发系统,其特征在于,
所述变压器为补偿变压器。
9.根据权利要求1所述的基于电力电子补偿变电站防可控硅误触发系统,其特征在于,
所述控制电路的主干路上连接单级断路器。
10.根据权利要求7所述的基于电力电子补偿变电站防可控硅误触发系统,其特征在于,
所述中央处理器采用芯片DSP TMS320-F28335。
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