[实用新型]一种跨导电容滤波器及电路有效
| 申请号: | 202020045008.0 | 申请日: | 2020-01-09 |
| 公开(公告)号: | CN211063586U | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
| 发明(设计)人: | 李富民;童红杰 | 申请(专利权)人: | 宁波爱芯微电子有限公司 |
| 主分类号: | H03H11/04 | 分类号: | H03H11/04;H03L7/093;H03L7/087 |
| 代理公司: | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人: | 李艳梅 |
| 地址: | 315800 浙江省宁波市北仑区大*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 导电 滤波器 电路 | ||
1.一种跨导电容滤波器,其特征在于,包括恒定Gm偏置电路和主滤波器,所述恒定Gm偏置电路输出控制电压Vct到所述主滤波器,所述恒定Gm偏置电路包括PMOS管电流镜、电流镜旁路电容、NMOS管电流镜和开关电容,所述PMOS管电流镜和所述NMOS管电流镜连接,所述电流镜旁路电容连接所述PMOS管电流镜,滤除所述PMOS管电流镜的电流噪声,所述开关电容连接所述NMOS管电流镜。
2.如权利要求1所述的跨导电容滤波器,其特征在于,所述PMOS管电流镜包括PMOS管一和PMOS管二。
3.如权利要求2所述的跨导电容滤波器,其特征在于,所述NMOS管电流镜包括NMOS管一和NMOS管二。
4.如权利要求3所述的跨导电容滤波器,其特征在于,所述PMOS管一和所述PMOS管二的漏极分别和所述NMOS管一和所述NMOS管二的漏极连接。
5.如权利要求4所述的跨导电容滤波器,其特征在于,所述开关电容两侧分别连接所述NMOS管二的源极和地。
6.如权利要求1至5任一所述的跨导电容滤波器,其特征在于,所述开关电容包括一对互补开关CK和电容,当CK闭合时对所述电容进行充电,当闭合时对所述电容进行放电。
7.一种电路,其特征在于,包括如权利要求1-6任一所述的跨导电容滤波器。
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