[实用新型]一种SOT系列大功率超低容值静电防护芯片封装结构有效
| 申请号： | 202020036103.4 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN211295074U | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 王海青;许贵铮;刘伟强;刘杰丰;李章夏;陈泽龙 | 申请（专利权）人： | 深圳市高特微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/495;H01L23/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区新安街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sot 系列 大功率 超低容值 静电 防护 芯片 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种SOT系列大功率超低容值静电防护芯片封装结构，其特征在于：它包含金属引线框架（1）、一号静电防护芯片（2）、二号静电防护芯片（3）、金属导线（5）、环氧树脂塑料塑封（6）；金属引线框架（1）设置在环氧树脂塑料塑封（6）内，且金属引线框架（1）的引脚露设在环氧树脂塑料塑封（6）的外侧；一号静电防护芯片（2）固定在金属引线框架（1）右侧的焊盘上表面，二号静电防护芯片（3）固定在金属引线框架（1）左侧的焊盘上表面，且一号静电防护芯片（2）与二号静电防护芯片（3）之间利用金属导线（5）电性连接；所述的二号静电防护芯片（3）的正面开窗处固定有金属球（4），连接二号静电防护芯片（3）与一号静电防护芯片（2）的金属导线（5）的一端与该金属球（4）连接。
2.根据权利要求1所述的一种SOT系列大功率超低容值静电防护芯片封装结构，其特征在于：该封装结构的尺寸为长2.9 mm×宽2.4 mm×高1.0mm。
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