[实用新型]研磨头及研磨装置

说明书

本实用新型提供一种能够使晶片的周缘部不被过度研磨的研磨头以及研磨装置。在背衬件的下方设置有在中空部收容晶片的大致圆环形状的晶片保持部，在无负载状态下晶片保持部的厚度为晶片的厚度以上。晶片保持部具有由不会弹性变形的材料形成且厚度为晶片的厚度以下的大致圆环形状的框部、以及由能够弹性变形的材料形成的大致圆环形状的缓冲件，缓冲件粘接或者贴附于所述背衬件，框部粘接或者贴附于所述缓冲件。

技术领域

本实用新型涉及研磨头及研磨装置。

背景技术

在专利文献1中公开有如下一种无蜡安装式研磨装置，该无蜡安装式研磨装置在背部衬垫(back pad)的中央部的表侧利用与背部衬垫相同的原材料一体形成大致圆形状的中央部分背部衬垫，在模板的孔部内使背部衬垫的中央部比背部衬垫的外周部朝向研磨布突出规定高度d，在该状态下进行半导体晶片的研磨。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-60598号公报

图19是示意性表示专利文献1所记载的研磨装置100的图。近年来，如研磨装置100那样，使用将在中空部设置晶片W的模板(保持环)103与背衬件102一体化而得到的研磨头101。在这种一体型的研磨头101中，晶片W的背面抵接于在研磨头101设置的背衬件102，同时且以相同的力按压晶片W和模板103。

然而，在图19所示那样的一体型的研磨头中，模板103比晶片W薄，且晶片W的表面比模板103向研磨垫104侧突出，因此存在在晶片W的周缘部处研磨压力增加，导致晶片W的周缘部相比于晶片W的中央部分被过度研磨这一问题(边缘塌边(edge roll off))。例如，在研磨200mm的晶片的情况下，在晶片的最外侧的5mm～10mm的范围内晶片被过度研磨。其结果是，晶片的周缘部变得比其他部分薄而平坦性恶化，无法从晶片的周缘部制造集成电路，成品率降低。

实用新型内容

实用新型要解决的课题

本实用新型是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种使晶片的周缘部不被过度研磨的研磨头以及研磨装置。

用于解决课题的方案

为了解决上述课题，本实用新型的研磨头例如一边保持晶片的背面，一边将所述晶片的表面按压于在平台上设置的研磨垫而对所述晶片进行研磨，所述研磨头的特征在于，具备：模板，其具有：大致圆板形状的背衬件，其供所述晶片的背面抵接；以及大致圆环形状的晶片保持部，其设置于所述背衬件的供所述晶片抵接的面，能够在中空部收容所述晶片；以及头主体部，其供所述背衬件的不与所述晶片抵接的面抵接，所述晶片保持部具有由不会弹性变形的材料形成且厚度为所述晶片的厚度以下的大致圆环形状的框部、以及由能够弹性变形的材料形成的大致圆环形状的缓冲件，所述缓冲件粘接或者贴附于所述背衬件，所述框部粘接或者贴附于所述缓冲件。

根据本实用新型的研磨头，模板设置于头主体部，该模板在背衬件的下方设置有在中空部收容晶片的大致圆环形状的晶片保持部。晶片保持部具有由不会弹性变形的材料形成且厚度为晶片的厚度以下的大致圆环形状的框部、以及由能够弹性变形的材料形成的大致圆环形状的缓冲件，缓冲件粘接或者贴附于背衬件，框部粘接或者贴附于缓冲件。如此，缓冲件、背衬件弹性变形，使晶片保持部的厚度与晶片W的厚度大致一致，从而能够使晶片的周缘部不被过度研磨。