[实用新型]一种石墨舟直槽卡点有效
| 申请号: | 202020011146.7 | 申请日: | 2020-01-03 |
| 公开(公告)号: | CN211771541U | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
| 发明(设计)人: | 朱建中 | 申请(专利权)人: | 镇江鹏飞光伏技术有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人: | 李洪波 |
| 地址: | 212000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 石墨 舟直槽卡点 | ||
本实用新型属于太阳能电池技术领域,尤其为一种石墨舟直槽卡点,包括安装部,所述安装部的两侧均固定安装有圆柱式连接部,所述圆柱式连接部的端部均固定安装有卡块,所述卡块的端面与侧面之间设有过渡面,所述安装部与卡块之间形成卡槽,所述卡槽形状为直角形卡槽。本实用新型通过将传统的U型槽和V型槽改进为现在直角形的卡槽,这样处于卡槽内的硅片与舟叶百分百接触,这样进一步提升了硅片与石墨舟的接触面积,导电性能更好,使硅片与舟页贴合更紧密,降低了SiNx或SiO2沉积的几率,提高产品的良品率。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,具体为一种石墨舟直槽卡点。
背景技术
在太阳能电池片的制造过程中,硅片进行其表面镀膜工序时,需要将未镀膜的硅片插入PECVD真空镀膜设备的载片器上,目前,载片器通常采用石墨舟,具体操作过程是:将硅片插入石墨舟并通过石墨舟卡点定位于其上,然后,将载有硅片的石墨舟放置在PECVD真空镀膜设备中,采用PECVD工艺对硅片进行镀膜。
现有的石墨舟卡点存在有V型和U型,在使用时,U型石墨舟卡点中硅片与石墨舟的接触面积大于V型石墨舟卡点中硅片与石墨舟的接触面积,但是U 型的石墨舟卡点还会存在一点瑕疵,因为U型槽的底部与硅片接触还不是十分密切,因而现在提出一种石墨舟直槽卡点来解决上述问题。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种石墨舟直槽卡点,解决了背景技术中提出的问题。
(二)技术方案
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种石墨舟直槽卡点,包括安装部,所述安装部的两侧均固定安装有圆柱式连接部,所述圆柱式连接部的端部均固定安装有卡块,所述卡块的端面与侧面之间设有过渡面,所述安装部与卡块之间形成卡槽,所述卡槽形状为直角形卡槽。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述安装部的直径为9mm,所述安装部的宽度为2.5mm,所述卡块的直径为6mm。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述圆柱式连接部的直径为5mm,所述卡槽的宽度为0.45mm。
(三)有益效果
与现有技术相比,本实用新型提供了一种石墨舟直槽卡点,具备以下有益效果:
该石墨舟直槽卡点,通过将传统的U型槽和V型槽改进为现在直角形的卡槽,这样处于卡槽内的硅片与舟叶百分百接触,这样进一步提升了硅片与石墨舟的接触面积,导电性能更好,使硅片与舟页贴合更紧密,降低了SiNx或 SiO2沉积的几率,提高产品的良品率。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
图中:1、安装部;2、圆柱式连接部;3、卡块;4、过渡面;5、卡槽。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
实施例
请参阅图1,本实用新型提供以下技术方案:一种石墨舟直槽卡点,包括安装部1,安装部1的两侧均固定安装有圆柱式连接部2,圆柱式连接部2的端部均固定安装有卡块3,卡块3的端面与侧面之间设有过渡面4,安装部1 与卡块3之间形成卡槽5,卡槽5形状为直角形卡槽。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于镇江鹏飞光伏技术有限公司,未经镇江鹏飞光伏技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020011146.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种道路基层试样存放装置
- 下一篇:一种可折叠型马桶
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





