[实用新型]一种LED外延片

说明书

本实用新型提供了一种LED外延片，包括衬底、位于所述衬底表面的翘曲控制层、依次位于所述翘曲控制层表面的N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；其中，所述翘曲控制层是通过对所述衬底进行加热，并采用氮化气体对所述衬底进行氮化处理形成的，所述氮化气体至少包括氨气。对衬底进行加热，并采用氮化气体对衬底进行氮化处理，可以使得氨气与衬底表面的一些化学键结合，形成晶格常数介于衬底和半导体层中间的物质即翘曲控制层，从而可以通过翘曲控制层减少衬底和半导体层之间因晶格失配产生的压应力或张应力，进而减小和改变LED外延片的翘曲，提高LED外延片的波长均匀性，提高LED外延片的良率，节约后续形成的LED芯片的分选成本。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种LED外延片。

背景技术

LED外延片是指在蓝宝石、硅等衬底基片上生长出的外延结构。LED外延片处于LED产业链中的上游环节，是半导体照明产业技术含量最高、对最终产品品质、成本控制影响最大的环节。近年来，下游应用市场的繁荣带动LED产业迅猛发展，也给LED外延片市场迎来发展良机。

为了节约生产成本，现有的LED外延片的尺寸由2英寸扩大到4英寸，甚至6英寸、8英寸，但是，随着LED外延片尺寸的增加，LED外延片的生长也面临着很多困难，如由于晶格失配导致的LED外延片翘曲过大等，严重影响着LED外延片的性能。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种LED外延片，以解决LED外延片面对的翘曲过大的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种LED外延片，包括衬底、位于所述衬底表面的翘曲控制层、依次位于所述翘曲控制层表面的N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层。

可选地，所述衬底为PSS镀AlN衬底或蓝宝石衬底。

可选地，还包括位于所述翘曲控制层和所述N型半导体层之间的缓冲层；

或者，还包括依次位于所述翘曲控制层和所述N型半导体层之间的缓冲层和非掺杂半导体层。

与现有技术相比，本实用新型所提供的技术方案具有以下优点：

本实用新型所提供的LED外延片，对衬底进行加热，并采用氮化气体对衬底进行氮化处理，使得氨气与衬底表面的一些化学键结合，形成晶格常数介于衬底和半导体层中间的物质即翘曲控制层，从而可以通过翘曲控制层减少衬底和半导体层之间因晶格失配产生的压应力或张应力，进而减小和改变LED外延片的翘曲，提高LED外延片的波长均匀性，提高LED外延片的良率，节约后续形成的LED芯片的分选成本。

并且，由于本实用新型只是在外延生长之前利用气氛对衬底表面进行氮化处理形成翘曲控制层，而不用额外通入镓源等生长增加外延层，即在不增加外延层厚度的前提下可有效调节最终外延片的翘曲程度，从而可以节约成本。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种LED外延片的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的另一种LED外延片的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的另一种LED外延片的结构示意图；

图4为现有技术中的LED外延片的波长分布示意图；

图5为本申请一个实施方式提供的一种LED外延片的波长分布示意图；