[发明专利]一种复合材料及其制备方法、发光二极管

说明书

本发明公开了一种复合材料及其制备方法、发光二极管，其中，所述复合材料包括金属有机框架材料以及负载在所述金属有机框架材料上的荧蒽与炔烃，所述荧蒽与炔烃通过共价键连接。本发明炔烃中的π‑π共轭，可以减少荧蒽核心与炔基的扭转角，使其共平面以降低复合材料的HOMO值，加强荧蒽作为空穴传输层的空穴传输能力；引入的金属有机框架材料具有介电作用，可以有效调节材料的电阻率，从而有效地降低电子迁移速率，进而实现平衡电子传输速率与空穴传输速率的目的。

技术领域

本发明涉及发光二极管领域，尤其涉及一种复合材料及其制备方法、发光二极管。

背景技术

量子点(quantum dot，QD)因其具备光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、量子产额高等优点，且可利用印刷工艺制备，所以受到了人们的普遍关注。基于量子点的发光二极管(即量子点发光二极管，QLED)，继承了量子点的优良光学特性，在显示以及照明领域具有重要的商业应用价值，引起了广泛的关注，其器件性能指标也发展迅速。目前，通过对量子点的改进以及QLED结构的不断优化，现有QLED的性能(包括器件效率和寿命)得到了大幅度的提高，不过，其效率距离产业化生产的要求还相差较远。

目前研究的QLED大部分应用有机半导体材料作为载流子注入层或传输层，如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚乙烯咔唑(PVK)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)和N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)等。其中，PEDOT:PSS具有优异的空穴迁移率和成膜性，通常被用作空穴注入层材料。但该物质呈弱酸性，且具有易吸水的PSS单元，容易受潮，会对同属有机半导体的空穴传输层造成影响，最终影响QLED的发光效率、发光均匀性、寿命和稳定性。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种复合材料及其制备方法、发光二极管，旨在解决现有荧蒽材料空穴传输能力较差的问题。

本发明的技术方案如下：

一种复合材料，其中，包括金属有机框架材料以及负载在所述金属有机框架材料上的荧蒽与炔烃，所述荧蒽与炔烃通过共价键连接。

一种复合材料的制备方法，其中，包括步骤：

将炔烃与金属有机框架材料混合，制得第一混合溶液；

将荧蒽分散在有机溶剂中，制得荧蒽溶液；

将所述第一混合溶液与所述荧蒽溶液混合，使所述荧蒽与炔烃通过共价键连接，制得所述复合材料。

一种发光二极管，其中，包括空穴传输层，所述空穴传输层材料为本发明所述复合材料或为本发明所述制备方法制得的复合材料。

有益效果：本发明提供的复合材料包括包括金属有机框架材料以及负载在所述金属有机框架材料上的荧蒽与炔烃，所述荧蒽与炔烃通过共价键连接。本发明炔烃中的π-π共轭，可以减少荧蒽核心与炔基的扭转角，使其共平面以降低复合材料的HOMO值，加强荧蒽作为空穴传输层的空穴传输能力；引入的金属有机框架材料具有介电作用，可以有效调节材料的电阻率，从而有效地降低电子迁移速率，进而实现平衡电子传输速率与空穴传输速率的目的。

附图说明

图1为本发明提供的一种复合材料的制备方法较佳实施例的流程图。

图2为本发明一种正置结构的量子点发光二极管的结构示意图。

图3为本发明一种倒置结构的量子点发光二极管的结构示意图。

图4为本发明提供的一种正置结构的量子点发光二极管的制备方法较佳实施例的流程图。

具体实施方式