[发明专利]一种显示器件及其像素点亮控制方法在审
| 申请号: | 202011639732.7 | 申请日: | 2020-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN114765201A | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
| 发明(设计)人: | 侯文军;杨一行 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;G09G3/32 |
| 代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 朱阳波;刘芙蓉 |
| 地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 器件 及其 像素 点亮 控制 方法 | ||
本发明公开一种显示器件及其像素点亮控制方法。所述显示器件包括呈阵列排列的若干像素,每个像素包括呈阵列排列的红光子像素、绿光子像素、第一蓝光子像素和第二蓝光子像素;所述显示器件还包括:启动模块,所述启动模块用于当目标蓝光亮度大于预设蓝光亮度值时,启动所述第一蓝光子像素发光,当目标蓝光亮度小于预设蓝光亮度值时,启动所述第二蓝光子像素发光。本发明通过选择不同特性的蓝光量子点器件,可以在不影响全彩器件显示效果的情况下,实现器件的发光效率和寿命的提升。
技术领域
本发明涉及显示器件技术领域,尤其涉及一种显示器件及其像素点亮控制方法。
背景技术
由于量子点独特的光电性质,例如发光波长随尺寸和成分连续可调、发光光谱窄、荧光效率高、稳定性好等,基于量子点的电致发光二极管(QLED)在显示领域得到广泛的关注和研究。此外,QLED显示还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多LCD所无法实现的优势,因而有望成为下一代的显示技术。
QLED器件工作时需要注入电子和空穴,最简单的QLED器件由阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极组成。在QLED器件中,量子点发光层夹在电荷传输层中间,当正向偏压加到QLED器件两端时,电子和空穴分别通过电子传输层和空穴传输层进入量子点发光层,在量子点发光层进行复合发光。
经过二十多年的发展,量子点材料得到了飞跃发展,红绿蓝QLED器件的外量子效率得到了巨大提升,尤其在以CdSe为主的器件。QLED器件效率的提升突出了其未来的前景。到目前为止,红绿量子点器件量子效率均大于20%,器件寿命已经和红色绿色OLED器件在同一水平,已经达到商业化应用的水平。但是,与蓝色OLED器件相比,蓝色量子点器件无论是器件效率还是器件寿命都有较大差距,尤其是蓝色量子点器件难以同时实现高效率和长寿命。
因此,现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种显示器件及其像素点亮控制方法,旨在解决现有蓝光量子点器件难以同时实现高效率和长寿命的问题。
本发明的技术方案如下:
一种显示器件,包括呈阵列排列的若干像素,其中,每个像素包括呈阵列排列的红光子像素、绿光子像素、第一蓝光子像素和第二蓝光子像素;
所述显示器件还包括:启动模块,所述启动模块用于当目标蓝光亮度大于预设蓝光亮度值时,启动所述第一蓝光子像素发光,当目标蓝光亮度小于预设蓝光亮度值时,启动所述第二蓝光子像素发光。
可选地,所述第一蓝光子像素的电流效率为≥8cd/A,和/或,第一蓝光子像素的电流效率与第二蓝光子像素的电流效率的比值≥1.5;
和/或,所述第二蓝光子像素的寿命为≥200h@1000nits,和/或,第二蓝光子像素的寿命与第一蓝光子像素的寿命的比值≥1.5。
可选地,第一蓝光子像素的电流效率与第二蓝光子像素的电流效率的比值大于等于1.5,小于3;
和/或,第二蓝光子像素的寿命与第一蓝光子像素的寿命的比值大于等于1.5,小于3。
可选地,所述显示器件还包括:
比较模块,所述比较模块用于将需要蓝光亮度与预设蓝光亮度值进行比较;
控制模块,所述控制模块用于根据比较结果,控制所述第一蓝光子像素或第二蓝光子像素发光。
可选地,所述控制模块为数据选择器。
可选地,所述红光子像素具体包括依次层叠设置的第一阳极、第一空穴注入层、第一空穴传输层、红光量子点发光层、第一电子传输层、第一阴极和第一光取出层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





