[发明专利]芯片定位结构、芯片封装结构及形成方法、半导体器件

说明书

本发明提供一种芯片定位结构、芯片封装结构及形成方法、半导体器件。芯片定位结构包括两个平行设置的第一芯片定位凸台和两个平行设置的第二芯片定位凸台，两个第一芯片定位凸台的平行线垂直于两个第二芯片定位凸台的平行线。本发明的芯片定位结构，使得埋入芯片的位移影响由“开槽精度”转变为“定位结构形成精度”，定位结构的形成可以通过选择比现有技术的开槽精度更高的工艺实现，如此可实现更小的芯片位移。

技术领域

本发明涉及芯片制造技术领域，具体涉及一种芯片定位结构、芯片封装结构及形成方法、半导体器件。

背景技术

作为电子装置小型化和高性能化的一个手段，将芯片埋入基板，通过布线与其他器件相连是一种有效的减低器件整体尺寸的技术手段。其中，具有高密度、小尺寸、窄节距表面焊盘的芯片埋入基板后，如果发生水平十几到几十微米大位移，会导致介质层开孔对接焊盘时位置不准确而导致互联失效。而芯片埋入的定位精度是影响芯片位移的重要的因素。

现有技术中的芯片埋入，一般为先在预定埋入的介质层中开槽，通常使用蚀刻介质层或介质层激光开槽的方式进行开槽；之后进行芯片的埋入。而芯片的位移受到开槽精度的影响。

发明内容

因此，本发明提供一种芯片定位结构、芯片封装结构及形成方法，以降低现有技术中埋入芯片过程中的芯片位移。

本发明提供一种芯片定位结构，包括两个平行设置的第一芯片定位凸台和两个平行设置的第二芯片定位凸台，两个所述第一芯片定位凸台的平行线垂直于两个所述第二芯片定位凸台的平行线。

可选的，相邻的所述第一芯片定位凸台和所述第二芯片定位凸台连接，组成一组边角芯片定位凸台，两组所述边角芯片定位凸台成对角设置。

可选的，每组所述边角芯片定位凸台中，所述第一芯片定位凸台和所述第二芯片定位凸台之间存在间隙。

可选的，所述芯片定位结构为金属结构；

可选的，所述第一芯片定位凸台高度为5μm～8μm，所述第二芯片定位凸台高度为5μm～8μm。

本发明提供一种芯片封装结构，包括：如上所述的芯片定位结构。芯片埋入基层，所述芯片定位结构设置于所述芯片埋入基层的一侧表面；所述芯片定位结构定义一芯片埋入区；埋入芯片，所述埋入芯片贴装于所述芯片埋入基层的芯片埋入区，所述埋入芯片的侧部被所述定位结构贴合限位。

可选的，所述第一芯片定位凸台的高度和所述第二芯片定位凸台的高度小于或等于所述埋入芯片的高度的一半。

可选的，所述芯片埋入基层为金属结构。

本发明还提供一种芯片封装结构的形成方法，包括以下步骤：形成两个平行设置的第一芯片定位凸台和两个平行设置的第二芯片定位凸台，两个所述第一芯片定位凸台的平行线垂直于两个所述第二芯片定位凸台的平行线。

可选的，还包括以下步骤：在芯片埋入基层表面形成凸起于所述芯片埋入基层表面的芯片定位结构，所述芯片定位结构定义一芯片埋入区，所述芯片埋入区的尺寸适于所述埋入芯片嵌入；将埋入芯片贴装至所述芯片埋入区的所述芯片埋入基层的表面，所述埋入芯片的侧部被所述定位结构贴合限位。

可选的，所述在芯片埋入基层表面形成凸起于所述芯片埋入基层表面的芯片定位结构的步骤为：在所述芯片埋入基层上光刻形成芯片定位结构预设位置图形，之后在所述芯片定位结构预设位置图形处电镀形成所述芯片定位结构。

可选的，所述形成芯片定位结构预设位置图形的步骤中，形成的芯片定位结构预设位置图形包括两个平行设置的第一芯片定位凸台预设位置图形和两个平行设置的第二芯片定位凸台预设位置图形，两个所述第一芯片定位凸台预设位置图形的平行线垂直于两个所述第二芯片定位凸台预设位置图形的平行线。