[发明专利]一种二氧化硅粉体填料的制备方法、由此得到的粉体填料及其应用

说明书

本发明涉及一种二氧化硅粉体填料的制备方法，其包括将高介电常数粉体分散于含水溶液中，向含水溶液中加入R₁SiX₃使其水解缩合以提供聚硅氧烷粉体，该聚硅氧烷粉体为内含高介电常数粉体的包括T单位的聚硅氧烷，高介电常数粉体的粒径小于聚硅氧烷的粒径；在含有氧气的氛围中煅烧聚硅氧烷粉体，煅烧温度介于850度‑1200度之间，得到内部含有高介电常数粉体的二氧化硅粉体填料。本发明还提供由上述制备方法得到的二氧化硅粉体填料及其应用。根据本发明的二氧化硅粉体填料的制备方法，可得到内部含有高介电常数粉体的二氧化硅粉体填料，通过其内含有的高介电常数粉体而具有高介电常数，满足小尺寸通信设备的要求。

技术领域

本发明涉及电路板和天线封装，更具体地涉及一种二氧化硅粉体填料的制备方法、由此得到的粉体填料及其应用。

背景技术

在5G通讯领域，需要用到射频器件等组装成设备，高密度互连板(high densityinterconnect，HDI)、高频高速板和母板等电路板。这些电路板一般主要由环氧树脂，芳香族聚醚，氟树脂等有机高分子和填料所构成，其中的填料主要是角形或球形二氧化硅，其主要功能是降低有机高分子的热膨胀系数。现有的填料选用球形或角形二氧化硅进行紧密充填级配。

随着技术的进步，通信设备也越来越小。通信设备中不可缺少的天线也变的越来越小，最终将采用封装天线AIP。由于设计原因，将天线做小时的基板及封装材料必须具有高介电常数和低介电损失，但是现有的已知填料无法满足该要求。

发明内容

为了解决上述现有技术中的已知填料的介电常数无法满足小尺寸通信设备的要求等问题，本发明提供一种二氧化硅粉体填料的制备方法、由此得到的粉体填料及其应用。

根据本发明的二氧化硅粉体填料的制备方法，其包括如下步骤：S1，将高介电常数粉体分散于含水溶液中，向含水溶液中加入R₁SiX₃使其水解缩合以提供聚硅氧烷粉体，该聚硅氧烷粉体为内含高介电常数粉体的包括T单位的聚硅氧烷，其中，R₁为氢原子或可独立选择的碳原子1至18的有机基，X为加水可分解基团，T单位为R₁SiO₃-，高介电常数粉体的粒径小于聚硅氧烷的粒径；S2，在含有氧气的氛围中煅烧聚硅氧烷粉体，煅烧温度介于850度-1200度之间，得到内部含有高介电常数粉体的二氧化硅粉体填料。

优选地，高介电常数粉体的粒径≦聚硅氧烷的粒径的三分之一。

优选地，R₁SiX₃为甲基三甲氧基硅烷。

优选地，高介电常数粉体选自由氧化钛，氧化锌，氧化锆，钛酸盐，锌酸盐，锆酸盐组成的组中的至少一种。在优选的实施例中，高介电常数粉体为钛酸钡、氧化钛或钛酸钙。

优选地，步骤S1中的含水溶液为主要成分为水的溶液。优选地，水在含水溶液中的重量百分比介于80％-100％之间。在优选的实施例中，该含水溶液为去离子水。

优选地，煅烧温度介于850度-1100度之间，煅烧时间介于6小时-12小时之间。

优选地，聚硅氧烷还包括Q单位、D单位、和/或M单位，其中，Q单位＝SiO₄-，D单位＝R₂R₃SiO₂-，M单位＝R₄R₅R₆SiO₂-，R₂，R₃，R₄，R₅，R₆分别为氢原子或可独立选择的碳原子1至18的有机基。