[发明专利]射频压力传感器

权利要求书

1.一种射频压力传感器，其特征在于：包括衬底、沉积在衬底上表面的布拉格反射栅层结构和形成在反射栅层结构上的压电堆叠结构；

所述衬底内部具有密闭的空腔；

所述布拉格反射栅层结构从下至上依次为低声阻抗层和高声阻抗层的交替叠加；

所述压电堆叠结构从下至上依次为底电极、压电薄膜及顶电极；

所述衬底为硅衬底或者是SOI衬底；

所述衬底中的空腔呈圆柱型、长方体型或不规则六面体型中任一种；

所述布拉格反射栅层结构中的低声阻抗层薄膜为SiO₂薄膜；所述布拉格反射栅层结构中的高声阻抗层薄膜为Mo薄膜、SiC薄膜、SiN薄膜、W薄膜或AlN薄膜中任一种。

2.根据权利要求1所述的射频压力传感器，其特征在于：对所述压电堆叠结构进行电极图案化；所述电极图案化包括顶电极图案化，或者底电极和顶电极均图案化。

3.根据权利要求1或2所述的射频压力传感器，其特征在于：所述底电极、顶电极图案化为不规则五边形、圆形、椭圆形或叉指电极中任一种。

4.根据权利要求3所述的射频压力传感器，其特征在于：所述底电极和顶电极均为金属导电薄膜；所述金属导电薄膜包括Mo导电薄膜、Pt导电薄膜、Au导电薄膜和Al导电薄膜。

5.根据权利要求1或2或4所述的射频压力传感器，其特征在于：所述压电薄膜为AlN压电薄膜、Sc掺杂AlN压电薄膜、PZT压电薄膜、ZnO压电薄膜、铌酸锂薄膜或钽酸锂薄膜中任一种。