[发明专利]一种基于LET伴随监测的单粒子风险群探测方法

权利要求书

1.一种基于LET伴随监测的单粒子风险群探测方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，将航天器搭载的各器件根据其单粒子防护能力进行防护级别划分；

步骤2，统计航天器因单粒子效应引发异常或故障时，每个防护级别器件的单粒子效应类别和发生概率；

步骤3，获取航天器因单粒子效应引发异常或故障时的空间粒子辐射环境数据；

步骤4，根据步骤2和步骤3的数据，获得每个防护级别器件的单粒子效应类别、发生概率与空间粒子辐射环境之间的对应关系，进而获得该防护级别器件发生单粒子效应时的空间粒子辐射门限值；

步骤5，监测空间粒子辐射环境数据，若其达到某防护级别器件所对应的门限值时，进行预警。

2.如权利要求1所述的基于LET伴随监测的单粒子风险群探测方法，其特征在于，将器件的单粒子防护级别划分为3类：产品价格低、单粒子防护能力弱的工业级器件的单粒子防护级别为级别1；具有物理冗余的器件的单粒子防护级别为级别2；产品价格高的航天专用级器件的单粒子防护级别为级别3。

3.如权利要求1所述的基于LET伴随监测的单粒子风险群探测方法，其特征在于，空间粒子辐射环境数据包括空间环境中电子、质子和重离子的辐射剂量；分别获取某防护级别器件的单粒子效应类别、发生概率与空间环境中电子、质子和重离子辐射剂量的对应关系，得到对应的门限值。

4.如权利要求1或3所述的基于LET伴随监测的单粒子风险群探测方法，其特征在于，采用LET探测获得空间粒子辐射环境数据。

5.如权利要求1所述的基于LET伴随监测的单粒子风险群探测方法，其特征在于，所述器件包括存储器件、使用CMOS工艺制造的器件、MOSFET器件、模拟器件、射频器件、电源器件、处理器、FPGA、EEPROM、FLASH和VCO。