[发明专利]行驱动器及其构成的图像传感器在审
| 申请号： | 202011630207.9 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112752042A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 王欣洋;刘洋;马成;姜涛 | 申请（专利权）人： | 长春长光辰芯光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/369 | 分类号： | H04N5/369 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 高一明;郭婷 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 驱动器 及其 构成 图像传感器 | ||
1.一种行驱动器，其特征在于，包括：预驱动器、输出器、工作电压源和升压电压源，所述预驱动器包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，所述输出器包括第三PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管；其中，所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的栅极分别与输入信号连接，所述第一PMOS晶体管的漏极与接地电压连接，所述第一PMOS晶体管的源极与所述第二PMOS晶体管的漏级连接，所述第二PMOS晶体管的源极与所述工作电压源连接，所述第一PMOS晶体管的源极与所述第二PMOS晶体管的漏级分别与所述第三PMOS晶体管的栅极连接，所述第三PMOS晶体管的源极与所述升压电压源连接，所述第三PMOS晶体管的漏级与所述第一NMOS晶体管的漏级连接，所述第一NMOS晶体管的栅极与所述工作电压源连接，所述第一NMOS晶体管的源极与所述第二NMOS晶体管的漏级连接，所述第二NMOS晶体管的栅极与输入信号连接，所述第二NMOS晶体管的源极与接地电压连接。
2.根据权利要求1所述的行驱动器及其构成的图像传感器，其特征在于，所述第一PMOS晶体管的源极与所述第二PMOS晶体管的漏级之间形成节点，向所述第三PMOS晶体管的栅极输出驱动器电压，使所述第三PMOS晶体管的端电压小于或等于所述工作电压源的工作电压。
3.根据权利要求2所述的行驱动器及其构成的图像传感器，其特征在于，所述第三PMOS晶体管的漏级与所述第一NMOS晶体管的漏级之间形成输出节点。
4.一种图像传感器，其特征在于，包括如权利要求1-3中任一项所述的行驱动器和像素阵列，所述行驱动器输出行选择信号、行复位信号和传输信号至所述像素阵列。
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