[发明专利]集成芯片、铁电存储器器件及其形成方法

权利要求书

1.一种铁电存储器器件，包括：

一对源极/漏极区，设置在衬底中；

栅极电介质，设置在所述衬底上方以及所述源极/漏极区之间；

栅极电极，设置在所述栅极电介质上；

极化切换结构，设置在所述栅极电极上；以及

一对侧壁间隔件，设置成位于所述衬底上方、并且沿着所述栅极电极和所述极化切换结构的相对侧壁。

2.根据权利要求1所述的铁电存储器器件，其中，所述衬底包括上部，所述上部包括多个鳍部结构。

3.根据权利要求1所述的铁电存储器器件，还包括：第一自对准接触掩模，设置在围绕所述极化切换结构的周围的所述栅极电极上。

4.根据权利要求3所述的铁电存储器器件，其中，所述第一自对准接触掩模具有与所述侧壁间隔件的顶面对准的顶面。

5.根据权利要求3所述的铁电存储器器件，还包括：第二自对准接触掩模，设置在所述极化切换结构上，并且具有与所述第一自对准接触掩模的顶面对准的顶面。

6.根据权利要求1所述的铁电存储器器件，其中，所述极化切换结构直接接触所述侧壁间隔件。

7.根据权利要求1所述的铁电存储器器件，其中，所述极化切换结构包括：

第一导电结构，设置在所述栅极电极上；

铁电结构，设置在所述第一导电结构上；以及

第二导电结构，设置在所述铁电结构上。

8.根据权利要求7所述的铁电存储器器件，其中，所述第二导电结构具有与所述侧壁间隔件的顶面对准的顶面。

9.一种集成芯片，包括：

逻辑区和存储器区，集成在衬底中；

逻辑器件，设置在所述逻辑区中，并且包括设置在所述衬底上方的逻辑器件栅极堆叠件；

铁电FinFET存储器器件，设置在所述存储器区中，并且包括位于所述衬底上方的存储器器件栅极堆叠件和设置在所述存储器器件栅极堆叠件上的极化切换结构；

第一自对准接触掩模，设置在所述逻辑器件栅极堆叠件和所述存储器器件栅极堆叠件上，并且邻近所述极化切换结构；以及

侧壁间隔件，设置成沿着所述存储器器件栅极堆叠、所述极化切换结构、和所述第一自对准接触掩模的侧壁。

10.一种形成铁电FinFET存储器器件的方法，包括：

形成包括位于衬底上方的栅极电介质和位于所述栅极电介质上方的牺牲栅极的初始栅极堆叠件；

形成位于所述衬底上方、并且沿着所述初始栅极堆叠的侧面的侧壁间隔件；

去除所述牺牲栅极、并且用金属栅极替代所述牺牲栅极；

使所述金属栅极凹进，以形成位于所述侧壁间隔件的上部之间的凹进空间；

形成位于所述凹进空间中的自对准接触掩模；

形成穿过所述自对准接触掩模暴露所述金属栅极的开口；以及

用极化切换结构填充所述开口。