[发明专利]聚酰亚胺薄膜及其制备方法、人工石墨膜和电子设备有效
申请号: | 202011628295.9 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN112778551B | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 金亚东;祝炬烨;杨承翰;朱正平 | 申请(专利权)人: | 宁波长阳科技股份有限公司 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08G73/10;C08L79/08;C08K9/06;C08K3/32;C08K3/26;H05K7/20 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 刘建荣 |
地址: | 315000 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 方法 人工 石墨 电子设备 | ||
本发明提供了一种聚酰亚胺薄膜及其制备方法、人工石墨膜和电子设备,涉及薄膜技术领域。该聚酰亚胺薄膜采用二酐、二胺、脱水剂、催化剂和填料制成,其中,通过选用特定种类的二酐和二胺以及特定用量的填料,使得所制得的聚酰亚胺薄膜具有优异的力学性能和薄膜取向,采用上述聚酰亚胺薄膜制备的人工石墨膜具有更加完整的石墨结构,具有优异的导热性能。本发明还提供了一种人工石墨膜,采用上述聚酰亚胺薄膜制成,鉴于上述聚酰亚胺薄膜所具有的优势,使得应用其的人工石墨膜具有良好的导热性能,同时还具有优异的力学性能,可根据实际需要加工成各式各样,满足不同应用场景的需求。
技术领域
本发明涉及薄膜技术领域,尤其是涉及一种聚酰亚胺薄膜及其制备方法、人工石墨膜和电子设备。
背景技术
在摩尔定律的推动下,芯片集成度越来预高,芯片散热成了电子设备持续高效运行的基本需求。目前,通常采用由聚酰亚胺薄膜烧结的人工石墨膜作为各类电子设备内部的散热材料,以满足电子设备内部狭小空间的散热设计要求。
随着科技快速发展,电子设备逐渐向轻薄化及小型化的方向发展,电子设备的产热量也随之明显增大,这就使得对于人工石墨膜的散热性能要求越来越高;同时,由于电子设备越来越轻薄化及小型化,人工石墨膜需要加工成各式各样,也对人工石墨膜的力学特性提出了更高的要求。由于人工石墨膜的各项性能取决于作为原料的聚酰亚胺薄膜,因此,开发优异导热性能人工石墨膜用的聚酰亚胺薄膜就显得尤为重要。
有鉴于此,特提出本发明以解决上述技术问题中的至少一个。
发明内容
本发明的第一目的在于提供一种聚酰亚胺薄膜,以改善现有技术中存在的聚酰亚胺薄膜无法满足应用要求的技术问题。
本发明的第二目的在于提供上述聚酰亚胺薄膜的制备方法。
本发明的第三目的在于提供一种人工石墨膜。
本发明的第四目的在于提供一种电子设备。
为了实现上述目的,本发明的技术方案如下:
本发明提供的一种聚酰亚胺薄膜,所述聚酰亚胺薄膜的厚度为25-100μm,断裂伸长率为70-130%,弹性模量为2.7-4.0GPa,热膨胀系数为16-32ppm/K;
所述聚酰亚胺薄膜主要由以下原料制成:二酐、二胺、脱水剂、催化剂和填料;
其中,二酐包括二酐Ι,所述二酐Ι包括均苯四甲酸二酐,二胺包括二胺Ι,所述二胺Ι包括4,4'-二氨基二苯醚;
所述填料包括未改性无机填料和/或改性无机填料,所述填料的质量占聚酰亚胺薄膜总质量的0.2-5.0%。
进一步,在本发明上述技术方案的基础之上,所述聚酰亚胺薄膜沿平面方向的折射率与沿厚度方向的折射率的差值为0.095-0.15。
进一步,在本发明上述技术方案的基础之上,所述无机填料的平均粒径为1.0-6.0μm;
优选的,所述未改性无机填料包括碳酸钙、碳酸氢钙或磷酸氢钙中的任意一种或至少两种的组合;
优选的,所述改性无机填料包括经过偶联剂进行表面改性的无机填料;
优选的,所述偶联剂的用量为所述无机填料总质量的1-5%;
优选的,所述偶联剂包括硅烷偶联剂,优选包括γ-氨丙基三乙氧基硅烷、N-(β-氨乙基)-α氨丙基三甲氧基硅烷或γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷中的任意一种;
优选的,所述无机填料包括碳酸钙、碳酸氢钙或磷酸氢钙中的任意一种或至少两种的组合。
进一步,在本发明上述技术方案的基础之上,所述二酐包括二酐Ι和二酐Ⅱ,二酐Ι和二酐Ⅱ的摩尔百分比为(50-100mol%):(0-50mol%);
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