[发明专利]一种极紫外波段薄膜滤片及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202011625918.7 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112853289A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 金宇;陈溢祺;朱忆雪;张秀霞;朱东风;朱运平;金长利 | 申请（专利权）人： | 苏州闻道电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;G02B5/20 |
| 代理公司： | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人： | 涂琪顺 |
| 地址： | 215400 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 波段 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种极紫外波段薄膜滤片，其特征在于，为Si掺杂的Al单层膜，所述Al单层膜中Si的质量百分数为0～50％。
2.根据权利要求1所述的极紫外波段薄膜滤片，其特征在于，所述Al单层膜中Si的质量百分数为10～30％。
3.根据权利要求1或2所述的极紫外波段薄膜滤片，其特征在于，所述Al单层膜中Si的质量百分数为20％。
4.根据权利要求1所述的极紫外波段薄膜滤片，其特征在于，所述Al单层膜的厚度为30～1500nm。
5.根据权利要求1或4所述的极紫外波段薄膜滤片，其特征在于，所述Al单层膜的厚度为200～1000nm。
6.根据权利要求1或4所述的极紫外波段薄膜滤片，其特征在于，所述Al单层膜的厚度为500nm。
7.权利要求1～6任一项所述极紫外波段薄膜滤片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
利用Si靶和Al靶，在基底表面进行直流磁控溅射，得到所述极紫外波段薄膜滤片。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述Si靶和Al靶的溅射功率均为40W。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述直流磁控溅射的本底真空度小于2.0×10-4Pa，溅射气压为0.2Pa。
10.权利要求1～6任一项所述极紫外波段薄膜滤片或权利要求7～9任一项所述制备方法制得的极紫外波段薄膜滤片作为光学元件的应用。
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