[发明专利]一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路

权利要求书

1.一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路，其特征在于，包括：依次连接的第一启动电路、第二启动电路和核心电路；

所述第一启动电路包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3和电阻R1；第一MOS管M1的源极、第二MOS管M2的源极以及第三MOS管M3的漏极均接入电源；第一MOS管M1的栅极、第二MOS管M2的栅极和第三MOS管M3的源极彼此连接，并与电阻R1串联后接地；第一MOS管M1的漏极、第二MOS管M2的漏极和第三MOS管M3的栅极均与所述核心电路连接；

所述第二启动电路包括第四MOS管M4、第五MOS管M5、三极管J1和比较器U1；比较器U1的同相输入端分别与第四MOS管M4的漏极和三极管J1的发射极连接；三极管J1的基极和集电极连接后接地；比较器U1的反相输入端与核心电路连接，输出端与第五MOS管M5的栅极连接；第五MOS管M5的源极接地，漏极与第四MOS管M4的栅极连接；第四MOS管M4的源极接入所述电源。

2.根据权利要求1所述的一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路，其特征在于，所述核心电路包括第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、运算放大器U2、三极管J2和三极管J3；其中，运算放大器U2的同相输入端分别与比较器U1的反相输入端和三极管J2的发射极连接；三极管J2的基极和集电极均接地；运算放大器U2的反相输入端分别与三极管J3的发射极、第一MOS管M1的漏极和第二MOS管M2的漏极连接；三极管J3的基极和集电极均接地；运算放大器U1的输出端分别与第三MOS管M3的栅极、第四MOS管M4的栅极、第五MOS管M5的漏极、第六MOS管M6的栅极、第七MOS管M7的栅极和第八MOS管M8的栅极连接；第六MOS管M6的漏极、第七MOS管M7的漏极和第八MOS管M8的源极均接入所述电源。

3.根据权利要求2所述的一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路，其特征在于，所述核心电路还包括：电阻R2、电阻R3、电阻R4和电阻R5；电阻R2的一端接地，另一端分别与比较器U1的反相输入端和运算放大器U2的同相输入端连接；电阻R3的一端与三极管J2的发射极连接，另一端分别与比较器U1的反相输入端、运算放大器U2的同相输入端和第八MOS管M8的漏极连接；电阻R4的一端接地，另一端分别与运算放大器U2的反相输入端和第一MOS管M1的漏极连接；电阻R5的一端接地，另一端与第六MOS管M6的源极连接。

4.根据权利要求3所述的一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路，其特征在于，第三MOS管M3由4个PMOS管并联组成。

5.根据权利要求1所述的一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路，其特征在于，第四MOS管M4由7个PMOS管并联组成。

6.根据权利要求1所述的一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路，其特征在于，第六MOS管M6由4个PMOS管并联组成。

7.根据权利要求1所述的一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路，其特征在于，第七MOS管M7由4个PMOS管并联组成。

8.根据权利要求1所述的一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路，其特征在于，第八MOS管M8由6个PMOS管并联组成。

9.根据权利要求1所述的一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路，其特征在于，三极管J1由27个三极管并联组成。

10.根据权利要求1所述的一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路，其特征在于，三极管J2由8个三极管并联组成。