[发明专利]一种半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括器件层、隔绝层、腐蚀阻挡层、自限制腐蚀腔、第一腐蚀腔和衬底；

所述器件层位于所述衬底的第一侧，所述自限制腐蚀腔位于所述衬底的第二侧，所述隔绝层和所述腐蚀阻挡层位于所述自限制腐蚀腔靠近所述器件层的一侧，且所述自限制腐蚀腔位于所述隔绝层和所述腐蚀阻挡层所限定的空间内；

所述第一腐蚀腔位于所述自限制腐蚀腔远离所述器件层的一侧，且所述第一腐蚀腔与所述自限制腐蚀腔连通。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔绝层位于所述器件层靠近所述衬底的一侧，所述腐蚀阻挡层位于所述隔绝层远离所述器件层的一侧。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括第一衬底分部和第二衬底分部，所述第二衬底分部位于所述第一衬底分部远离所述器件层的一侧；

所述隔绝层位于所述第一衬底分部和所述第二衬底分部之间；

所述腐蚀阻挡层位于所述器件层靠近所述第一腐蚀腔的一侧，且所述腐蚀阻挡层贯穿所述第一衬底分部、所述隔绝层以及至少部分所述第二衬底分部。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述自限制腐蚀腔在所述器件层所在平面的垂直投影位于所述第一腐蚀腔在所述器件层所在平面的垂直投影内，且所述第一腐蚀腔在所述器件层所在平面的垂直投影的面积大于所述自限制腐蚀腔在所述器件层所在平面的垂直投影的面积。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔绝层的材料包括氧化硅或氮化硅，所述腐蚀阻挡层的材料包括氧化硅。

6.一种半导体结构的制备方法，用于制备权利要求1-5任一项所述的半导体结构，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成隔绝层和腐蚀阻挡层；

在所述衬底的第一侧制备器件层；

在所述衬底的第二侧制备第一腐蚀腔；

在所述衬底的第二侧制备自限制腐蚀腔，其中，所述隔绝层和所述腐蚀阻挡层位于所述自限制腐蚀腔靠近所述器件层的一侧，所述自限制腐蚀腔位于所述隔绝层和所述腐蚀阻挡层所限定的空间内，所述第一腐蚀腔位于所述自限制腐蚀腔远离所述器件层的一侧，且所述第一腐蚀腔与所述自限制腐蚀腔连通。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述衬底为单层硅衬底；

在所述衬底上形成隔绝层和腐蚀阻挡层，包括：

在所述衬底的第一侧刻蚀第一空腔，在所述第一空腔内填充氧化硅或氮化硅，形成腐蚀阻挡层；

在所述衬底的第一侧以及所述腐蚀阻挡层远离所述衬底的一侧制备所述隔绝层。

8.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述衬底为SOI硅片，所述SOI硅片包括第一衬底分部、所述隔绝层和第二衬底分部，所述隔绝层位于所述第一衬底分部和所述第二衬底分部之间；

在所述衬底上形成隔绝层和腐蚀阻挡层，包括：

在所述衬底的第一侧刻蚀第二空腔，在所述第二空腔内填充氧化硅或氮化硅，形成腐蚀阻挡层，其中，所述腐蚀阻挡层贯穿所述第一衬底分部、所述隔绝层以及至少部分所述第二衬底分部。

9.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，

通过各向异性湿法腐蚀工艺或深硅干刻法刻蚀工艺在所述衬底的第二侧制备第一腐蚀腔；

通过各向同性湿法腐蚀工艺或各向异性湿法腐蚀工艺在所述衬底的第二侧制备自限制腐蚀腔。

10.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，

通过各向异性湿法腐蚀工艺在所述衬底的第二侧制备自限制腐蚀腔，所述衬底的腐蚀面为(100)晶面。