[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管式的电阻测量计在审
申请号: | 202011621727.3 | 申请日: | 2020-12-30 |
公开(公告)号: | CN112834823A | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 郭立强;董钱;王伟琳;丁建宁;程广贵 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
主分类号: | G01R27/14 | 分类号: | G01R27/14;H01L29/786 |
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地址: | 212013 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化物 薄膜晶体管 电阻 测量计 | ||
1.一种氧化物薄膜晶体管式的电阻测量计,其特征在于,所述电阻测量计包括上层的源电极、漏电极和沟道,中间的PVA固态电解质薄膜以及下层的涂有ITO涂层的透明玻璃,将作为栅极的ITO涂层与源电极之间通电,通过双电层效应,在沟道表面诱导出电子,不同的栅电压可以诱导出不同数量的电子,从而改变沟道的导电率,即改变沟道的电阻。
2.如权利要求1所述的一种氧化物薄膜晶体管式的电阻测量计,其特征在于,不同的栅电压指-0.2~1.8V。
3.如权利要求1所述的一种氧化物薄膜晶体管式的电阻测量计,其特征在于,在电路中被测电阻串联前后,通过调节栅电压,维持电路中的电流保持不变,则沟道前后阻值差的绝对值即为被测电阻的阻值。
4.如权利要求3所述的一种氧化物薄膜晶体管式的电阻测量计,其特征在于,被测电阻串联在电路中形成闭合回路时,电源电压E恒定,被测电阻的阻值为R0,电压表的示数为源漏电压Uds,此时电路的源漏电流I0可由晶体管的输出特性曲线确定,即栅压与源漏电压可唯一确定源漏电流,由式可确定沟道的电阻R1;由式即可确定被测电阻R0的值。
5.如权利要求1所述的一种氧化物薄膜晶体管式的电阻测量计,其特征在于,所述PVA固态电解质薄膜的制备方法如下:
(1)将PVA颗粒放置于去离子水中充分溶胀;
(2)将溶胀后的PVA溶液置于恒温磁力搅拌机上,期间持续加热至100℃,并保持温度搅拌2h,获得均匀的透明PVA溶液;
(3)将透明PVA溶液在室温下进行冷却静置;
(4)12小时后,利用胶头滴管取PVA透明溶液滴涂在ITO透明玻璃片有ITO涂层的表面上;
(5)将涂布好的基片放入恒温通风烘箱中进行干燥,以获得均匀的PVA基生物聚合物电解质膜。
6.如权利要求1所述的一种氧化物薄膜晶体管式的电阻测量计,其特征在于,在氩气环境中,利用定制镍合金金属掩膜板,将ITO源电极、漏电极和沟道溅射到PVA固态电解质薄膜上,磁控溅射过程中,由于边缘绕射效应,可在源电极与漏电极之间获得一个自组装薄膜ITO沟道,从而构成氧化薄膜晶体管。
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