[发明专利]一种CMOS图像传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 202011616752.2 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112736105A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 王欣洋;刘洋;李扬;马成 | 申请（专利权）人： | 长春长光辰芯光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 高一明;郭婷 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种CMOS图像传感器的结构，其特征在于，包括：在半导体衬底(20)中形成隔离区(23)，限定CMOS图像传感器的单位像素(200)的有源区；在所述半导体衬底(20)上形成栅极(223)；形成覆盖所述隔离区的边界区域的掩模层；使用掩模层进行杂质的离子注入；在有源区的一部分中形成钳位光电二极管(210)的扩散区，其中所述扩散区与所述隔离区(23)间隔开地形成。
2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的结构，其特征在于，所述钳位光电二极管(210)结构表面的高掺杂P+钳位层将Si/Si02界面与电荷收集区域的N埋层隔离开,减小此处产生的暗电流。
3.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的结构，其特征在于，还包括在所述栅极的上形成钝化层(260)；所述钝化层(260)由绝缘材料构成。
4.如权利要求3所述的CMOS图像传感器的结构，其特征在于，所述钝化层包括单层的氧化物层或单层的氮化物层中的任何一种；所述钝化层还可以包括多层的至少一个氧化物层和至少一个氮化物层。
5.一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，步骤包括：
S1：在半导体衬底中形成隔离区(23)，限定CMOS图像传感器的单位像素的有源区；
S2：在所述半导体衬底上形成栅极(223)；形成覆盖所述隔离区(23)的边界区域的掩模层；使用掩模层进行杂质的离子注入；
S3：在有源区的一部分中形成钳位光电二极管(210)的扩散区，其中所述扩散区与所述隔离区间隔开地形成。
6.如权利要求5所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，步骤2还包括在所述栅极(223)的形成之后形成钝化层(260)；所述钝化层(260)由绝缘材料构成。
7.如权利要求5所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述钝化层包括单层的氧化物层或单层的氮化物层中的任何一种。
8.如权利要求5所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述钝化层包括多层的至少一个氧化物层和至少一个氮化物层。
9.如权利要求5所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述掩模层是光刻胶层。
10.如权利要求5所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底是P++型硅衬底，其上形成有P型外延层(21)，并且所述钳位光电二极管(210)的扩散区具有n-型扩散区域(211)；所述钳位光电二极管(210)的所述n-型扩散区(211)中形成Po型扩散区(213)，减少在所述半导体衬底(20)的表面上产生的暗电流。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春长光辰芯光电技术有限公司，未经长春长光辰芯光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011616752.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
