[发明专利]芯片电镀系统及芯片电镀控制方法有效

专利信息
申请号: 202011615619.5 申请日: 2020-12-30
公开(公告)号: CN112813482B 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 林英乔 申请(专利权)人: 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
主分类号: C25D17/00 分类号: C25D17/00;C25D17/08;C25D21/04;C25D21/12;C25D7/00;H05K3/18
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 董艳芳
地址: 250000 山东省济南市*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 芯片 电镀 系统 控制 方法
【说明书】:

本申请提供一种芯片电镀系统及芯片电镀控制方法,涉及集成电路制造技术领域。本申请通过盛液装置的容置槽盛放电镀液,并在容置槽内设置板面与槽底表面平行的推板,安装在盛液装置上的气压缸通过传动杆与推板连接,由气压缸带动推板在电镀液内移动以调节电镀液面高度。本申请通过芯片夹持设备夹持着待镀芯片朝向容置槽的槽底移动,而后由与气压缸及芯片夹持设备分别电性连接的控制设备,对气压缸及芯片夹持设备各自的工作状态进行控制,使气压缸与芯片夹持设备相互配合地将待镀芯片浸入电镀液中,并针对芯片表面附着的气泡施加相向的两股压力,增强气泡排挤力度,从而尽可能地降低电镀浸液过程中芯片表面的空气残留,改善电镀铜坑缺陷。

技术领域

本申请涉及集成电路制造技术领域,具体而言,涉及一种芯片电镀系统及芯片电镀控制方法。

背景技术

电镀工艺在集成电路制造过程中属于极为重要的工艺技术,需要将芯片以正面朝下的形式浸入电镀液中,利用铜离子的化学反应特性使电镀液在芯片表面反应生成一层铜质结构,从而完成整个电镀处理流程。而在电镀处理过程中,附着在芯片表面的空气会在与电镀液接触时,产生气泡附着在芯片表面,以至于电镀处理时铜离子无法在芯片表面正常地反应生成平整的铜质结构,出现电镀铜坑缺陷。

发明内容

有鉴于此,本申请的目的在于提供一种芯片电镀系统及芯片电镀控制方法,能够在电镀浸液过程中,针对芯片表面附着的气泡施加相向的两股压力,增强气泡排挤力度,从而尽可能地降低电镀浸液过程中芯片表面的空气残留,改善电镀铜坑缺陷。

为了实现上述目的,本申请实施例采用的技术方案如下:

第一方面,本申请提供一种芯片电镀系统,所述芯片电镀系统包括芯片夹持设备、盛液装置、推板、传动杆、气压缸及控制设备;

所述盛液装置开设有用于容置电镀液的容置槽,所述推板设置在所述容置槽内,其中所述推板的板面与所述容置槽的槽底表面平行;

所述气压缸安装在所述盛液装置上,并通过所述传动杆与所述推板连接,用于带动所述推板在容置的电镀液内移动,以调节所述盛液装置的电镀液面高度;

所述芯片夹持设备正对所述容置槽的槽底设置,用于夹持待镀芯片,并可带动所述待镀芯片朝向所述容置槽的槽底移动;

所述控制设备与所述气压缸及所述芯片夹持设备电性连接,用于对所述气压缸及所述芯片夹持设备各自的工作状态进行控制,使所述气压缸与所述芯片夹持设备相互配合地对所述待镀芯片表面进行电镀处理。

在可选的实施方式中,所述芯片夹持设备包括夹持结构及伸缩结构;

所述夹持结构用于夹持待镀芯片;

所述伸缩结构与所述夹持结构连接,用于在所述伸缩结构的伸缩方向上带动所述夹持结构进行移动,其中所述伸缩结构的伸缩方向与所述容置槽的槽底表面垂直。

在可选的实施方式中,所述芯片夹持设备还包括旋转结构;

所述旋转结构设置在所述伸缩结构与所述夹持结构之间,所述伸缩结构与所述旋转结构固定连接,所述伸缩结构经所述旋转结构与所述夹持结构连接,其中所述旋转结构用于带动所述夹持结构进行旋转,所述旋转结构的旋转轴延伸方向与所述伸缩结构的伸缩方向平行。

在可选的实施方式中,所述芯片夹持设备还包括倾斜结构;

所述倾斜结构设置在所述旋转结构与所述夹持结构之间,所述旋转结构与所述倾斜结构固定连接,所述旋转结构经所述倾斜结构与所述夹持结构连接,其中所述倾斜结构用于调节所述待镀芯片表面相对于水平面的倾斜角度。

在可选的实施方式中,所述芯片电镀系统还包括供电设备;

所述供电设备与所述芯片夹持设备、所述气压缸及所述控制设备分别电性连接,用于向所述芯片夹持设备、所述气压缸及所述控制设备分别提供电能。

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