[发明专利]一种GaSb/Ge2

权利要求书

1.一种GaSb/Ge₂Sb₂Te₅类超点阵相变材料，其特征在于：GaSb/Ge₂Sb₂Te₅类超点阵相变材料为多层复合膜结构，由GaSb层和Ge₂Sb₂Te₅层交替沉积复合而成，将一层GaSb层和一层Ge₂Sb₂Te₅层作为一个交替周期，后一个交替周期的GaSb层沉积在前一个交替周期的Ge₂Sb₂Te₅层上方；

所述GaSb/Ge₂Sb₂Te₅类超点阵相变材料的膜结构用通式[GaSb(x)/Ge₂Sb₂Te₅(y)]_n表示；其中x、y分别为单层GaSb层和单层Ge₂Sb₂Te₅层的厚度，x、y的单位为nm，n为GaSb层和Ge₂Sb₂Te₅层的交替周期数，x为正整数。

2.一种如权利要求1所述的GaSb/Ge₂Sb₂Te₅类超点阵相变材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)、基片准备，将基片洗净烘干待用；

2)、磁控溅射和直流共溅射准备，将步骤1)洗净的待溅射的基片放置在基托上，将GaSb合金和Ge₂Sb₂Te₅合金作为溅射靶材分别安装在溅射靶中，并将磁控溅射和直流共溅射系统的溅射腔室进行抽真空，使用氩气作为溅射气体；

3)、磁控溅射和直流共溅射制备[GaSb(x)/Ge₂Sb₂Te₅(y)]_n多层沉积态复合薄膜；

4)、将步骤3)中磁控溅射和直流共溅射得到的[GaSb(x)/Ge₂Sb₂Te₅(y)]_n多层复合薄膜封于真空度小于1×10^-3Pa的真空石英管中，并将真空石英管放入管式炉中进行退火，退火温度为300-400℃，升温速率为5℃/min，保温时间为30min，并随管式炉自然冷却，获得多层[GaSb(x)/Ge₂Sb₂Te₅(y)]_n结晶态薄膜。

3.根据权利要求2所述的GaSb/Ge₂Sb₂Te₅类超点阵相变材料的制备方法，其特征在于：所述基片为SiO₂/Si(100)。

4.根据权利要求2所述的GaSb/Ge₂Sb₂Te₅类超点阵相变材料的制备方法，其特征在于：磁控溅射和直流共溅射过程中的真空度小于5×10-5Torr，氩气压力为0.5Pa。

5.根据权利要求2所述的GaSb/Ge₂Sb₂Te₅类超点阵相变材料的制备方法，其特征在于：步骤3)中磁控溅射电源功率为50-80W，直流共溅射的电源功率为40-70W，磁控溅射和直流共溅射时间为100-500s。

6.根据权利要求2所述的GaSb/Ge₂Sb₂Te₅类超点阵相变材料的制备方法，其特征在于：步骤2)中GaSb层用Ga₄₅Sb₅₅合金作为靶材，Ge₂Sb₂Te₅层用，Ge₂Sb₂Te₅合金作为靶材。