[发明专利]有机光电平板探测器

权利要求书

1.一种有机光电平板探测器，其特征在于，所述平板探测器包括：基底、TFT元件、TFT保护层、有机转光层、有机转光层的底电极及顶电极；

所述基底上定义有相邻的像素区域及非像素区域，所述像素区域的所述基底上设置有像素孔，且所述像素孔的尺寸由下向上逐渐减小，所述像素孔通过刻蚀形成所述TFT保护层时形成；

所述TFT元件形成于所述非像素区域上，包括源极、漏极、栅极、栅绝缘层及沟道层，且所述源极延伸至所述像素区域上；

所述TFT保护层设置于所述TFT元件的周侧；

所述有机转光层采用溶液法制备且包括填充于所述像素孔中的第一有机转光层及形成于所述非像素区域的所述TFT保护层上的第二有机转光层，所述有机转光层的制备原料包括P型有机光电材料、N型有机光电材料及用于溶于所述P型有机光电材料和所述N型有机光电材料的有机溶剂，基于所述像素孔的尺寸由下向上逐渐减小及采用所述溶液法，所述第一有机转光层与所述第二有机转光层之间不连续；

有机转光层的所述底电极位于所述TFT元件的所述源极的表面上及所述第一有机转光层下；

有机转光层的所述顶电极位于所述有机转光层上。

2.根据权利要求1所述的有机光电平板探测器，其特征在于：所述P型有机光电材料包括P3HT以及PCPDTBT中的至少一种；所述N型有机光电材料包括PC61BM以及PC71BM中的至少一种；所述有机溶剂包括邻二甲苯、氯仿以及四氢萘中的至少一种；所述有机转光层的厚度介于500nm～2000nm之间。

3.根据权利要求1所述的有机光电平板探测器，其特征在于，所述平板探测器还包括第一界面层及第二界面层；所述第一界面层位于所述有机转光层的上表面；所述第二界面层包括不连续的第一子界面层及第二子界面层，所述第一子界面层位于所述第一有机转光层的下表面，所述第二子界面层位于所述TFT保护层的上表面；所述第一界面层的材料包括Se、MoO₃、WO₃、NiO、V₂O₅以及PEDOT:PSS中的至少一种，所述第二界面层的材料包括TiO₂、ZnO、AZO、MZO、SnO₂以及PEIE中的至少一种；所述第一界面层的厚度介于5nm～100nm之间，所述第二界面层的厚度介于10nm～100nm之间。

4.根据权利要求3所述的有机光电平板探测器，其特征在于：采用溶液法制备所述第二界面层。

5.根据权利要求3所述的有机光电平板探测器，其特征在于：采用溶液法制备所述第一界面层。

6.根据权利要求1所述的有机光电平板探测器，其特征在于：所述TFT元件与所述TFT保护层之间还设置有钝化层及遮光层，所述钝化层设置于所述沟道层上，所述遮光层设置于所述钝化层上。

7.根据权利要求1所述的有机光电平板探测器，其特征在于：所述第一有机转光层填充满所述像素孔。

8.根据权利要求1所述的有机光电平板探测器，其特征在于：所述像素孔的尺寸由下向上线性减小，呈梯形形状。

9.根据权利要求1所述的有机光电平板探测器，其特征在于：所述像素孔的顶部与底部的连线与所述像素孔的底壁之间的夹角介于30°～60°之间。

10.根据权利要求1所述的有机光电平板探测器，其特征在于：所述栅绝缘层延伸至所述像素区域的所述基底表面上，延伸至所述像素区域上的所述源极位于延伸至所述像素区域上的所述栅绝缘层的表面上。