[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成源极/漏极结构；

在所述源极/漏极结构上方形成包括一个或多个第一绝缘层的第一层间介电层；

在所述第一层间介电层中形成第一开口以至少部分地暴露所述源极/漏极结构；

用第一导电材料填充所述第一开口，以形成与所述源极/漏极结构接触的源极/漏极接触件；

在所述源极/漏极接触件和所述第一层间介电层上方形成包括第一层和设置在所述第一层上的第二层的第二层间介电层；

在所述第二层间介电层中形成第二开口以至少部分地暴露所述源极/漏极接触件；以及

用第二导电材料填充所述第二开口，以形成与源极/漏极接触件直接接触并且与所述第二层间介电层直接接触而不插入导电阻挡层的上部接触件，

其中，所述第二导电材料包括钌。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述上部接触件包括除钌以外的杂质。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，杂质的量为0.00001原子％至0.1原子％。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述杂质是选自碱金属和碱土金属中的一种或多种。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述杂质是碳。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电材料是Co。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述上部接触件下方的所述源极/漏极接触件的部分具有Co原子的无序结构。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一层由氮化硅基材料制成，并且所述第二层由氧化硅基材料制成。

9.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成源极/漏极结构；

在所述源极/漏极结构上方形成包括一个或多个第一绝缘层的第一层间介电层；

在所述第一层间介电层中形成第一开口以至少部分地暴露所述源极/漏极结构；

用第一导电材料填充所述第一开口，以形成与所述源极/漏极结构接触的源极/漏极接触件；

在所述源极/漏极接触件和所述第一层间介电层上方形成包括第一层和设置在所述第一层上的第二层的第二层间介电层；

在所述第二层间介电层中形成第二开口以至少部分地暴露所述源极/漏极接触件；

部分地凹进所述源极/漏极接触件以形成凹槽，所述凹槽在所述第一层下方延伸；

在所述凹槽和所述第一层上执行清洗操作；以及

用钌填充所述第二开口和所述凹槽，以形成与所述源极/漏极接触件直接接触并且与所述第二层间介电层直接接触而不插入导电阻挡层的上部接触件。

10.一种半导体器件，包括：

栅电极；

源极/漏极结构；

下部接触件，接触所述栅电极或所述源极/漏极结构；以及

上部接触件，设置在形成在层间介电层中的开口中并且与所述下部接触件直接接触；

其中，所述上部接触件与所述层间介电层直接接触而不插入导电阻挡层，以及

所述上部接触件包括钌。