[发明专利]一种芯片注塑封装的金属陶瓷封装晶体振荡器的开封方法在审
申请号: | 202011601793.4 | 申请日: | 2020-12-29 |
公开(公告)号: | CN112735981A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 许艳君;闫玉波;李智;李文周 | 申请(专利权)人: | 北京振兴计量测试研究所 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人: | 吴利芳 |
地址: | 100074 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 注塑 封装 金属 陶瓷封装 晶体振荡器 开封 方法 | ||
1.一种芯片注塑封装的金属陶瓷封装晶体振荡器的开封方法,其特征在于,所述晶体振荡器包括芯片腔体和晶片腔体,所述晶片腔体设置在芯片腔体上,并通过焊点连接;所述晶片腔体包括金属盖板和下腔体,所述晶片设置在金属盖板与下腔体形成的空间内;芯片和键合丝通过注塑封装设置在芯片腔体内;
所述芯片腔体开封时,先使用酒精灯外焰对芯片腔体注塑区域进行加热,然后采用腐蚀剂进行化学开封。
2.根据权利要求1所述的芯片注塑封装的金属陶瓷封装晶体振荡器的开封方法,其特征在于,所述晶体振荡器的开封方法包括以下步骤:
步骤1.对晶体振荡器进行X射线检查,得到所述晶体振荡器内部结构信息;
步骤2.根据所述内部结构信息,采用机械开封方法开封晶片腔体,去除金属盖板,露出晶片和下腔体;
步骤3.使用镊子将晶片取出;
步骤4.通过加热熔化下腔体与芯片腔体的焊点,将下腔体与芯片腔体分离;
步骤5.使用酒精灯外焰对芯片腔体注塑区域进行加热,然后采用腐蚀剂对芯片腔体进行化学开封,暴露出键合丝和芯片。
3.根据权利要求2所述的芯片注塑封装的金属陶瓷封装晶体振荡器的开封方法,其特征在于,所述步骤1中,内部结构信息包括晶片安装位置、晶片安装方式、腔体焊接方式、焊点位置和芯片安装位置。
4.根据权利要求2所述的芯片注塑封装的金属陶瓷封装晶体振荡器的开封方法,其特征在于,所述步骤2中,机械开封方法为:先采用打磨器对金属盖板熔封焊缝进行打磨,然后将刀片插入焊缝将金属盖板拆除。
5.根据权利要求2所述的芯片注塑封装的金属陶瓷封装晶体振荡器的开封方法,其特征在于,所述步骤3中,将晶片取下前,对晶片进行形貌检查和性能测试。
6.根据权利要求2-5所述的芯片注塑封装的金属陶瓷封装晶体振荡器的开封方法,其特征在于,所述步骤4中,采用加热台对所述晶体振荡器进行加热,所述晶片腔体向下放置在加热台上。
7.根据权利要求6所述的芯片注塑封装的金属陶瓷封装晶体振荡器的开封方法,其特征在于,所述加热台温度为230~250℃,加热时间为5~7s。
8.根据权利要求2所述的芯片注塑封装的金属陶瓷封装晶体振荡器的开封方法,其特征在于,所述步骤5中,在化学开封前,使用酒精灯外焰对芯片腔体注塑区域加热2~5s。
9.根据权利要求8所述的芯片注塑封装的金属陶瓷封装晶体振荡器的开封方法,其特征在于,所述腐蚀剂为:发烟硝酸和质量分数98%的浓硫酸按1:(0.5~1.5)体积比混合组成的腐蚀酸;
在80-90℃的条件下,腐蚀芯片腔体注塑区域3~5分钟,去除芯片表面的塑封材料,暴露出键合丝和芯片。
10.根据权利要求9所述的芯片注塑封装的金属陶瓷封装晶体振荡器的开封方法,其特征在于,采用腐蚀剂对芯片腔体进行开封后,采用丙酮超声清洗芯片腔体1~2次,每次1~2分钟,而后用去离子水超声清洗1~2次,每次30~60秒,最后采用丙酮超声清洗1次,清洗1~2分钟。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造