[发明专利]一种超高场发射匀场线圈结构

权利要求书

1.一种超高场发射匀场线圈结构，其特征在于，包括多个偶极子天线单元和屏蔽件，多个偶极子天线单元环绕分布在负载的外侧，且不同的偶极子天线单元与所述负载的中心的间距不全部相等，所述偶极子天线单元按照所述负载的外侧面形状随形排布，所述偶极子天线单元包括介质层和偶极子天线，所述偶极子天线设置于所述介质层的一侧，每一个所述偶极子天线单元作为一个发射通道使用，且每一个所述偶极子天线单元单独设置馈电端口，实现多通道独立调节，且不同的所述发射通道的幅值和相位可独立调节，所述介质层远离所述偶极子天线的一侧靠近所述负载分布；

所述屏蔽件安装于所述偶极子天线单元围成的环形外侧，用于减弱不同的所述发射通道之间的磁场，以降低耦合，不同的所述偶极子天线单元与所述屏蔽件的内侧壁的间距相等。

2.根据权利要求1所述的超高场发射匀场线圈结构，其特征在于，至少一个所述偶极子天线单元的介质层具有多层介质，所述具有多层介质的偶极子天线单元设置于超高场点磁场不均匀分布的位置。

3.根据权利要求2所述的超高场发射匀场线圈结构，其特征在于，所述具有多层介质的偶极子天线单元的至少一层介质为高介电材料，所述高介电材料位于对应的所述偶极子天线单元靠近负载的一侧。

4.根据权利要求1所述的超高场发射匀场线圈结构，其特征在于，所述屏蔽件为中空环形结构，所述偶极子天线单元围成的环形位于所述屏蔽件的环形内侧。

5.根据权利要求1所述的超高场发射匀场线圈结构，其特征在于，所述屏蔽件包括多个屏蔽帽，所述屏蔽帽的数目不多于所述偶极子天线单元的数目，所述屏蔽帽一一对应的罩设于所述偶极子天线单元的外侧。

6.根据权利要求1所述的超高场发射匀场线圈结构，其特征在于，所述偶极子天线单元为条状，偶极子为规则的条状结构或者为至少部分呈弯曲状的不规则蛇形结构，所述偶极子天线单元的馈电端口设置于所述偶极子的中部位置。