[发明专利]一种以三嗪接二苯并呋喃和三联苯及其衍生物结构为核心骨架的化合物及其应用在审
| 申请号: | 202011597805.0 | 申请日: | 2020-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN114685462A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
| 发明(设计)人: | 陆颖;殷梦轩;张兆超;李崇;崔明 | 申请(专利权)人: | 江苏三月科技股份有限公司 |
| 主分类号: | C07D405/04 | 分类号: | C07D405/04;C07D405/14;H01L51/54;H01L51/50 |
| 代理公司: | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人: | 聂启新 |
| 地址: | 214112 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 三嗪接二苯 呋喃 联苯 及其 衍生物 结构 核心 骨架 化合物 应用 | ||
本发明涉及一种三嗪接二苯并呋喃和三联苯衍生物结构为核心骨架化合物及其应用,属于半导体技术领域,本发明提供化合物的结构如通式(1)所示;本发明化合物应用于OLED器件后,器件电压,电流效率和寿命均得到改善,在OLED发光显示器中具有良好的应用效果,具有良好的产业化前景。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种以三嗪接二苯并呋喃和三联苯衍生物结构为核心骨架的化合物及其应用。
背景技术
有机电致发光器件包括阳极、阴极以及设置在阳极和阴极之间的包括发光层的有机功能层,其中有机功能层是在阴极和阳极之间各层的总称。此外,在阳极和发光层之间可以存在空穴传输区域,并且在发光层和阴极之间可以存在电子传输区域。来自阳极的空穴可以通过空穴传输区域向发光层迁移,来自阴极的电子可以通过电子传输区域向发光层迁移。载流子(例如,空穴和电子)在发光层中复合并产生激子。根据量子力学原理,有机金属化合物材料作为掺杂材料可以实现100%的内量子产率。
尽管如此,对于三线态发光的磷光OLED,在器件电压、电流效率以及寿命方面仍然有改进的需求。尤其是对发光层中的主体和掺杂材料提出了更高的要求。其中,主体材料的性能通常会较大程度地影响有机电致发光器件的上述关键性能。
根据现有技术,咔唑类衍生物通常用作磷光掺杂的空穴型主体材料,三嗪类衍生物通常用作磷光掺杂的电子型主体材料。电子型主体材料的性能对有机电致发光器件的上述关键性能会产生显著影响,现有的电子型主体材料在器件电压、效率,尤其是器件寿命上均有改善的需求。本发明提供具有低电压、高效率,尤其是更长寿命的电子型主体替代材料。
对于磷光OLED,发光层使用单一主体通常会导致空穴和电子不平衡,高电流密度下器件效率滚降严重且寿命缩短。本发明还提供两种主体材料的组合,可有效解决上述单主体器件的不足。
发明内容
针对现有技术存在的上述问题,本发明申请人提供了一种以三嗪接二苯并呋喃和三联苯衍生物结构为核心骨架的化合物及其应用。本发明化合物具有三嗪和苯并呋喃类稠环结构,通过器件结构优化,可有效提升OLED器件的光电性能以及OLED器件的寿命。
本发明的技术方案为:
一种以三嗪接二苯并呋喃和三联苯衍生物结构为核心骨架的化合物,所述化合物结构如通式(1)所示:
通式(1)中,Z每次出现分别独立地表示为N或C-R2,所述R2表示为氢、氕、氘、氚、氰基或苯基;R1表示为通式(2)-(6)所示结构中的一种;
通式(3)中,X表示为O或S。
优选方案,所述化合物的结构如通式(7)或通式(8)所示:
R1、Z表示的范围同上述的限定。
优选方案,所述化合物的结构如通式(9)或通式(10)所示:
AA、X表示的范围同上述的限定。
优选方案,所述化合物的结构如通式(11)或通式(12)所示:
优选方案,至少有一个Z表示为C-D,其中D表示为氘。
优选方案,所述化合物的结构为以下结构中的任一种:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏三月科技股份有限公司,未经江苏三月科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011597805.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:温度控制方法与数据存储系统
- 下一篇:使用校准图像减轻对捕获图像的显示干扰





