[发明专利]一种修复电镀正面开槽后PN结的方法

说明书

本发明公开了一种修复电镀正面开槽后PN结的方法，其特征在于电镀正面开槽后进行二次扩散来修复PN结，所述二次扩散在扩散炉中进行，磷源通入流速160‑180sccm，通入时间340‑380s。本发明采用二次扩散对正面皮秒激光开槽破坏的PN结进行修复，电池片整体的效率得到提升。更进一步的，二次扩散后再使用SE激光进行推结，优化PN结的均匀性。

技术领域

本发明涉及晶硅太阳能电池片制造技术领域，具体是一种修复电镀正面开槽后PN结的方法。

背景技术

目前的技术水平而言，传统的丝网印刷技术细栅线的高宽比难以有效提高，相对此技术，采用种子层加光诱导电镀(LIP)的方法制备电池正面电极具备的优点为：增大细栅高宽比；减少细栅线电阻率；降低细栅宽度，提高电池受光面积；降低正面电极制作使用银浆量，达到降低电池生产成本的目的。

目前传统的电镀正面开槽方式为使用紫外皮秒激光器对氮化硅直接进行开槽，从而保证金属电极可以直接生长在硅片上。

如图1所示，目前传统的电池片电极制备流程是：正面皮秒激光开槽→背面激光开槽→电镀→烧结。电镀正面开槽使用的是紫外皮秒激光器，由于激光器扫描的能量是均匀的，而硅片表面的是存在金字塔形状的绒面，所有在开槽过程中，如果要将金字塔底部的氮化硅膜开掉，必然会伤到金字塔顶部的绒面，破坏硅片上的PN结，导致电池片开压的损失，影响整体效率。

发明内容

本发明针对背景技术中存在的问题，提出了一种修复电镀正面开槽后PN结的方法。

技术方案：

本发明公开了一种修复电镀正面开槽后PN结的方法，电镀正面开槽后进行二次扩散来修复PN结，所述二次扩散在扩散炉中进行，磷源通入流速160-180sccm，通入时间340-380s。

优选的，所述磷源通入流速为170sccm，通入时间360s。

优选的，扩散炉的温度为875-880℃。

优选的，二次扩散结束后，采用SE的激光器进行推结，确保所有开槽处形成有效的PN结。

本发明的有益效果

本发明采用二次扩散对正面皮秒激光开槽破坏的PN结进行修复，电池片整体的效率得到提升。更进一步的，二次扩散后再使用SE激光进行推结，优化PN结的均匀性。

附图说明

图1为电池片电极制备的常规流程图

图2为本发明电池片电极制备的流程图

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步说明，但本发明的保护范围不限于此：

结合图1，本发明优化后的工艺流程为：

实施例1：

S1、正面皮秒激光开槽。

S2、二次扩散，在扩散炉中进行，磷源通入流速160sccm，通入时间340s，温度875℃。S3、常规SE推结。

S4、常规背面激光开槽。

S5、常规电镀。

S6、常规烧结。

实施例2：

S1、正面皮秒激光开槽。

S2、二次扩散，在扩散炉中进行，磷源通入流速180sccm，通入时间380s，温度880℃。S3、常规SE推结。

S4、常规背面激光开槽。

S5、常规电镀。

S6、常规烧结。