[发明专利]高精度修正电压温度系数的带隙基准电路系统在审
| 申请号: | 202011592954.8 | 申请日: | 2020-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN112667016A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
| 发明(设计)人: | 李飞;王志利;徐唱 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
| 代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭立 |
| 地址: | 201314*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 高精度 修正 电压 温度 系数 基准 电路 系统 | ||
本发明公开了一种高精度修正电压温度系数的带隙基准电路系统,所述基准电压输出电路)中,在电压输出端和地之间接有两个并联的回路,分别为第一回路和第二回路;所述第一回路中至少包括一个通路,所述通路中包括至少两个具有不同温度系数的电阻,所述电阻间串联连接;所述第二回路中至少包括一个通路,所述通路中包括至少两个具有不同温度系数的电阻,所述电阻间并联连接。
技术领域
本发明涉及集成电路领域,尤其涉及一种高精度修正电压温度系数的带隙基准电路系统。
背景技术
在现有集成电路设计中,需要通过一个带隙基准电路产生温度系数电流用来补偿相反温度系数的电路,同时也需要产生稳定的基准电压给电源系统使用,如图1所示,是一个带隙基准电路,该电路通过BJT主通路产生带有温度系数的电流,记该电流为PTAT电流),通过MOS管M4镜像出去的带有温度系数的电流给其他补偿电路使用,通常情况下,我们不希望基准电压输出端Vout输出的电压是带有温度系数的,但在产生特定温度系数电流的同时,Vout输出电压也是带有温度系数。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种高精度修正电压温度系数的带隙基准电路系统,电路系统在产生特定温度系数电流的同时,用最优的电阻阵列调档,同时该精度达到最大化的优化。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种高精度修正电压温度系数的带隙基准电路系统,包括:PTAT电流产生电路,用以产生带有温度系数的电流,基准电压输出电路,用以输出恒定的基准电压,温度系数电流输出电路,用以输出带有温度系数的电流来补偿其他具有相反温度系数的电路,所述基准电压输出电路中,在电压输出端和地之间接有两个并联的回路,分别为第一回路和第二回路;所述第一回路中至少包括一个通路,所述通路中包括至少两个具有不同温度系数的电阻,所述电阻间串联连接;所述第二回路中至少包括一个通路,所述通路中包括至少两个具有不同温度系数的电阻,所述电阻间并联连接。
优选地,所述第一回路包括N个并联的通路,N大于等于2,每个通路中包括至少两个具有不同温度系数的电阻和一个开关元件,所述电阻和开关元件间串联连接;所述开关元件与外部控制电路连接,所述外部控制电路控制所述通路的接通或断开;
所述第二回路包括N个并联的通路,N大于等于2,每个通路中包括至少两个具有不同温度系数的电阻和两个开关元件,所述电阻间并联,每条并联支路接有一个所述开关元件;所述开关元件与外部控制电路连接,所述外部控制电路控制两个所述开关元件同时接通或断开,即控制所述通路的接通或断开。
优选地,所述第一回路包括至少M对具有不同温度系数的电阻,M大于等于2,还包括M个开关元件;所述通路中最中间的一对电阻间串联连接有一个开关元件,其他对电阻依次两两向通路两端隔开串联连接,连接的节点间通过一个开关元件形成旁路;所述开关元件与外部控制电路连接,所述外部控制电路控制该旁路接通或断开;
所述第二回路包括两条并联支路,每条支路包括至少M个串联连接的电阻,M大于等于2,所述两条支路中的电阻具有不同的温度系数;每条支路还包括M个开关元件,其中一个所述开关元件串联连接在所述电阻和地之间,所述电阻间的连接节点与地之间通过其余所述开关元件中的一个形成旁路。
优选地,所述第一回路中,每个通路中的电阻为第一电阻和第二电阻,每个通路中的开关元件的栅极与控制信号相连接,开关元件的源极连接该通路中的第一电阻的第二端,开关元件的漏极连接该通路中的第二电阻的第一端;所有通路的第一电阻的第一端连接在一起组成电阻阵列单元的正端,所有通路的第二电阻的第二端连接在一起组成电阻阵列单元的负端。
优选地,所述第一回路中的通路为一个,所述通路中的两个电阻的阻值不同;所述第二回路中的通路为一个,所述通路中的两个电阻的阻值不同。
优选地,所述第一回路的每个通路中包含的电阻为两个,并且每个所述通路中这两个电阻的阻值比各不相同;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011592954.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





