[发明专利]一种非晶硅材料电阻率调节方法

权利要求书

1.一种简单可行的非晶硅材料电阻率的调节方法，其特征在于，包括：

采用化学气相沉积PECVD硅烷辉光放电制备非晶硅材料，平行板结构装置衬底放在具有温控装置的平板上，射频电压加在上下平行板之间；反应腔体内采用热丝控制气体温度，在辉光放电前，先将沉积室温抽真空到5x10^-4Pa；然后在辉光放电沉积过程的反应室中，通入少量N₂O与硅烷作为非晶硅材料反应气体，并且在反应过程中使反应腔中保持46Pa～55Pa的压强，对衬底进行加热到300℃，让上下平板间出现电容耦合式的气体放电，将氧原子掺杂入非晶硅材料中，使氧原子在非晶硅中与Si形成新键，形成含氧的氢化非晶硅。

2.如权利要求1所述的简单可行的非晶硅材料电阻率的调节方法，其特征在于，采用化学气相沉积PECVD制备非晶硅材料，通过将氧原子按工艺参数控制比例，掺杂入非晶硅材料中，从而实现电阻率的调节。

3.如权利要求1所述的简单可行的非晶硅材料电阻率的调节方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积法PECVD制备非晶硅材料。

4.如权利要求1所述的简单可行的非晶硅材料电阻率的调节方法，其特征在于，衬底放在具有温控装置的平板上，射频电压加在上下平行板之间，并且反应腔体内采用热丝控制气体温度，压强通常保持在50Pa，在上下平板间就会出现电容耦合式的气体放电，并产生等离子体。

5.如权利要求1所述的简单可行的非晶硅材料电阻率的调节方法，其特征在于，抽真空包括：在辉光放电前先将沉积室温抽真空，使得真空度达到5×10^-4Pa。

6.如权利要求1所述的简单可行的非晶硅材料电阻率的调节方法，其特征在于，达到真空度后对衬底进行加热。

7.如权利要求1所述的简单可行的非晶硅材料电阻率的调节方法，其特征在于，辉光放电沉积完材料后，用氮气进行冲洗。

8.如权利要求1所述的简单可行的非晶硅材料电阻率的调节方法，其特征在于，还包括：在真空状态下，将辉光放电沉积的材料冷却2小时，待其降至常温后取出。

9.如权利要求1所述的简单可行的非晶硅材料电阻率的调节方法，其特征在于，还包括：制备的非晶硅材料进行了电阻率的测试。