[发明专利]一种去除碳化硅晶片表面颗粒的清洗方法

权利要求书

1.一种去除碳化硅晶片表面颗粒的清洗方法，包括以下步骤：

A）将待清洗的晶片置于碱性有机溶液中，依次进行机械抖动和多频超声，进行有机清洗，用于去除表面黏着的蜡质、抛光液中的无机研磨液、硅溶胶和其余的大颗粒；

所述碱性有机溶液包括表面活性剂、螯合剂、pH调节剂和有机溶剂；所述表面活性剂、螯合剂、pH调节剂与有机溶剂的质量份数之比为（1~10）：（0.5~5）：（20~40）：（3~5）；

所述有机溶剂为酮类和/或醇类有机溶剂；所述表面活性剂为阴离子表面活性剂；

所述多频超声具体为：在20~50KHz下超声5~20min，然后再50~120KHz下超声5~20min；

B）将所述有机清洗后的晶片置于无机清洗液中，进行兆声清洗，用于去除碳化硅表面的0.1~2μm的小颗粒；

所述无机清洗液包括氧化剂和氨水，所述氧化剂包括双氧水和/或臭氧；所述兆声清洗的频率为600~1000KHz，所述兆声清洗的功率为600~3000W，所述兆声清洗的时间为5~20min；

C）将所述兆声清洗后的晶片使用臭氧水进行表面钝化。

2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述碱性有机溶液的清洗温度为20~80℃，所述有机清洗过程中碱性有机溶液循环并使用大于0.3μm的滤芯过滤。

3.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，步骤A）中机械抖动的频率为20~50次/min，所述机械抖动的幅度为10~20cm。

4.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，步骤B）使用滚动装置带动晶片在无机清洗液中旋转，所述滚动装置的旋转速度为3~8r/min。

5.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述臭氧水的温度为20~50℃；压力为0.1~0.4MPa，所述臭氧的溶解度为10~50ppm。

6.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，在所述有机清洗之后对所述晶片进行热水喷淋；所述热水的温度为50~90℃，喷淋的流速为2~50L/min。

7.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述兆声清洗之后使用常温水喷淋，所述常温水的温度为20~30℃，喷淋的流速为2~50L/min。