[发明专利]一种电子器件用氮化镓单晶材料的快速抛光方法

权利要求书

1.一种电子器件用氮化镓单晶材料的快速抛光方法，其特征在于：包括下述步骤：

步骤(1)生长的氮化镓单晶片从异质衬底上剥离下来，经过清洗处理，在晶片固定模具的晶片固定槽中放入适量粘接剂，将晶片固定模具放在加热台上进行加热，待粘接剂熔化，放入氮化镓单晶片，使得氮化镓单晶片下侧不平整区域完全浸入粘接剂中；

步骤(2)用夹具将步骤(1)中的含有氮化镓单晶片的晶片固定模具从加热台取下，放到定向仪样品台对氮化镓单晶片进行定向，确定研磨面的正法线方向，在粘接剂未完全冷却凝固之前，微调氮化镓单晶片取向，确保其研磨面水平；

步骤(3)待粘接剂完全冷却固化，将晶片固定模具放到研磨盘上，晶片固定模具背面槽中加上适当金属压块，进行晶片研磨抛光，待氮化镓单晶片表面完全研磨抛光平整，完成第一面的机械抛光。

2.如权利要求1所述的电子器件用氮化镓单晶材料的快速抛光方法，其特征在于：所述步骤(1)中，所述氮化镓单晶片的制备方法包括但不限于氢化物气相外延方法；所述异质衬底包括但不限于碳化硅、氧化铝、氧化锌、硅等材料。

3.如权利要求1所述的电子器件用氮化镓单晶材料的快速抛光方法，其特征在于：所述步骤(1)中，所述晶片固定模具材质包括但不限于金属、陶瓷、硬质聚酯材料；所述晶片固定模具上部开有圆柱形凹槽，所述凹槽直径稍大于氮化镓单晶直径，所述凹槽深度1mm-10mm。

4.如权利要求1所述的电子器件用氮化镓单晶材料的快速抛光方法，其特征在于：所述步骤(1)中，所述粘接剂包括但不限于石蜡等；所述晶片固定模具背部同样开有圆柱形凹槽，所述凹槽直径稍大于研磨设备配件金属压块直径，所述凹槽深度3mm-10mm。