[发明专利]一种电平转换电路及终端设备

说明书

本申请提出一种电平转换电路及终端设备中，电平转换电路包括第一开关管和第二开关管，第一开关管的第一极和第二极均连接于第一驱动电源，第二开关管的第一极和第二极均连接于第二驱动电源，第一开关管的第三极连接于第二开关管的第三极。第一开关管和第二开关管具有寄生二极管，寄生二极管的负极连接于开关管的第三极，寄生二极管的正极连接于开关管的第二极。当第一驱动电源掉电时，第一开关管处于截断状态，第一开关管内的寄生二极管用于防止第二驱动电源对第一驱动电源进行倒灌；当第二驱动电源掉电时，第二开关管处于截断状态，第二开关管内的寄生二极管用于防止第一驱动电源对第二驱动电源进行倒灌。从而克服倒灌漏电问题，减少了安全隐患。

技术领域

本申请涉及电路领域，具体而言，涉及一种电平转换电路及终端设备。

背景技术

随着电子产品功能越加丰富，单个系统往往会挂载多个功能模块，而各个模块的工作电压却不完全一样。所以，需要将不同的电平信号连接相互通信，就涉及到电平转化单元。

现有技术中，采用单一CMOS芯片实现电平转换电路，但由于CMOS芯片生产工艺问题，其内部自身形成寄生二极管特性。在某些场景下，会导致漏电，给系统稳定性带来隐患。

发明内容

本申请的目的在于提供一种电平转换电路及终端设备，以至少部分改善上述问题。

为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本申请实施例提供一种电平转换电路，所述电平转换电路包括第一开关管和第二开关管，所述第一开关管的第一极和第二极均连接于第一驱动电源，所述第二开关管的第一极和第二极均连接于第二驱动电源，所述第一开关管的第三极连接于所述第二开关管的第三极；

其中，所述第一开关管内的寄生二极管的负极连接于所述第一开关管的第三极，所述第一开关管内的寄生二极管的正极连接于所述第一开关管的第二极，所述第二开关管内的寄生二极管的负极连接于所述第二开关管的第三极，所述第二开关管内的寄生二极管的正极连接于所述第二开关管的第二极；

第一电平网络连接于所述第一驱动电源与所述第一开关管的第二极之间；

第二电平网络连接于所述第二驱动电源与所述第二开关管的第二极之间；

当所述第一驱动电源掉电时，所述第一开关管处于截断状态，所述第一开关管内的寄生二极管用于防止所述第二驱动电源对所述第一驱动电源进行倒灌；

当所述第二驱动电源掉电时，所述第二开关管处于截断状态，所述第二开关管内的寄生二极管用于防止所述第一驱动电源对所述第二驱动电源进行倒灌。

可选地，所述第一开关管用于当所述第一电平网络拉低时，所述第一开关管的第一极与第二极之间的压差大于阈值，所述第一开关管切换为导通状态，对所述第二开关管的第三极进行拉低，所述第二开关管中的寄生二极管导通，从而对所述第二电平网络进行拉低；

所述第二开关管用于当所述第二电平网络拉低时，所述第二开关管的第一极与第二极之间的压差大于阈值，所述第二开关管切换为导通状态，对所述第一开关管的第三极进行拉低，所述第一开关管中的寄生二极管导通，从而对所述第一电平网络进行拉低。

可选地，所述第一开关管包括第一NMOS管，所述第二开关管包括第二NMOS管；

所述第一NMOS管的栅极作为所述第一开关管的第一极，所述第一NMOS管的源极作为所述第一开关管的第二极，所述第一NMOS管的漏极作为所述第一开关管的第三极；

所述第二NMOS管的栅极作为所述第二开关管的第一极，所述第二NMOS管的源极作为所述第二开关管的第二极，所述第二NMOS管的漏极作为所述第二开关管的第三极。

可选地，所述第一开关管包括第一三极管和第一寄生二极管，所述第二开关管包括第二三极管和第二寄生二极管；