[发明专利]一种超薄纳米花结构水滑石超级电容器电极材料及其制备方法

权利要求书

1.一种超薄纳米花结构水滑石超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）将氯化钴水溶液和氯化镍水溶液混合，得到混合溶液；

（2）搅拌状态下，滴加形貌调节剂氨基酸水溶液，搅拌反应1~2h；

（3）向步骤（2）反应体系中，缓慢滴加沉淀剂NH₃·H₂O水溶液，搅拌反应3~5h；

（4）将步骤（3）反应体系于80~100℃油浴中，恒温回流搅拌10~15h；

（5）将步骤（4）反应所得沉淀物过滤，用去离子水和乙醇交替清洗，真空过滤后即得；

步骤（2）中，所述氨基酸水溶液中，氨基酸为L-天冬酰胺。

2.根据权利要求1所述的超薄纳米花结构水滑石超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述氯化钴水溶液的浓度范围为0.1mol/L～0.5mol/L；所述氯化镍水溶液的浓度范围为0.1 mol/L～0.5mol/L。

3.根据权利要求2所述的超薄纳米花结构水滑石超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述混合溶液中，氯化钴与氯化镍的摩尔比为（1~2）:（2~1）。

4.根据权利要求1所述的超薄纳米花结构水滑石超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述氨基酸水溶液的浓度为0.02~0.05 mol/L。

5.根据权利要求4所述的超薄纳米花结构水滑石超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述氨基酸水溶液的滴加量，按照氨基酸与步骤（1）中钴离子和镍离子总量摩尔比1:2～1:10添加。

6.根据权利要求1所述的超薄纳米花结构水滑石超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，所述NH₃·H₂O水溶液的浓度为2~4wt.%。

7.根据权利要求6所述的超薄纳米花结构水滑石超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，所述NH₃·H₂O水溶液的添加量与步骤（2）反应体系体积比为1：（5~8）。

8.根据权利要求7所述的超薄纳米花结构水滑石超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，所述NH₃·H₂O水溶液在2~3h内缓慢滴加完毕。