[发明专利]顶发射显示面板、显示装置及其制作方法在审
| 申请号: | 202011587436.7 | 申请日: | 2020-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN112701148A | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
| 发明(设计)人: | 陈亚文;史文 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 宋朝政 |
| 地址: | 510000 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发射 显示 面板 显示装置 及其 制作方法 | ||
本发明公开一种顶发射显示面板、显示装置及其制作方法。该显示面板包括基板,基板具有多个驱动TFT;多个反射底电极,设置于基板上,且多个反射底电极彼此间隔设置;像素界定层,设置于基板和反射底电极上,像素界定层具有多个条形像素坑以及多个第一电极搭接孔,像素坑、第一电极搭接孔与驱动TFT三者一一对应设置;发光功能层,设于像素坑内,且发光功能层具有多个第二电极搭接孔,每个第二电极搭接孔与对应的第一电极搭接孔相对且连通;以及透明顶电极,透明顶电极包括第一部分与第二部分,第一部分设于像素界定层和发光功能层上,第二部分穿过第一电极搭接孔、第二电极搭接孔与驱动TFT连接。该顶发射显示面板提高了发光均匀性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种顶发射显示面板、显示装置及其制作方法。
背景技术
显示装置中的顶发射显示面板为了改善发光均匀性,往往会引入与顶部透明电极相连通的辅助电极,通过辅助电极的高导电性来减小顶部透明电极的电压降,改善发光亮度的均匀性。但是,为了提高成膜均匀性,顶发射器件的打印工艺中发展出了line bank(线状隔堤)的打印方式,而在line bank结构中难以应用辅助电极设计,即导致顶发射显示面板仍存在发光不均匀的技术问题。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种顶发射显示面板、显示装置及其制作方法,旨在解决现有技术中具有line bank结构的顶发射显示面板存在发光不均匀的技术问题。
为实现上述目的,本发明提出的一种顶发射显示面板,包括:
基板,基板具有多个驱动TFT;
多个反射底电极,反射底电极设置于基板上,且多个反射底电极彼此间隔设置;
像素界定层,像素界定层设置于基板和反射底电极上,像素界定层具有多个条形像素坑以及多个第一电极搭接孔,像素坑、第一电极搭接孔与驱动TFT三者一一对应设置;
发光功能层,发光功能层设于像素坑内,且发光功能层具有多个第二电极搭接孔,每个第二电极搭接孔与对应的第一电极搭接孔相对且连通;以及
透明顶电极,透明顶电极包括第一部分与第二部分,第一部分设于像素界定层和发光功能层上,第二部分穿过第一电极搭接孔、第二电极搭接孔与驱动TFT连接。
本发明还提出一种显示装置,包括如前所述的顶发射显示面板。
本发明还提出一种顶发射显示面板的制作方法,包括如下步骤:
提供具有多个驱动TFT的基板,其中该基板上还具有彼此间隔设置的多个反射底电极;
在反射底电极和基板上制作像素界定层,且像素界定层形成有多个条形像素坑,每个条形像素坑内开设第一电极搭接孔,第一电极搭接孔与驱动TFT一一对应;
在像素坑内制作发光功能层,发光功能层覆盖第一电极搭接孔;
去除各第一电极搭接孔内沉积的发光功能层的功能薄膜,露出驱动TFT,以在发光功能层上形成与第一电极搭接孔相对且连通的第二电极搭接孔;
在像素界定层和发光功能层上制作透明顶电极,并使透明顶电极的部分穿过第二电极搭接孔、第一电极搭接孔与驱动TFT连接;
封装形成顶发射显示面板。
本发明技术方案通过针对适用于量产印刷工艺的line bank结构,在像素界定层上挖设漏出驱动TFT的第一电极搭接孔,且在发光功能层上也留出与第一电极搭接孔相对且连通的第二电极搭接孔,然后使得发光功能层上沉积的透明顶电极的每一个独立的电极单元均与基板上对应的驱动TFT电连接,从而解决了大面积显示顶部电极导电性不佳造成的IR-drop(电压降)问题,提高了顶发射显示面板的发光均匀性。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





