[发明专利]一种反激同步整流电路有效

专利信息
申请号: 202011584117.0 申请日: 2020-12-28
公开(公告)号: CN112821768B 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 张艺蒙;孙世凯;郭辉;张玉明;吴勇 申请(专利权)人: 西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 刘长春
地址: 241000 安徽省芜湖市弋江区高*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 同步 整流 电路
【说明书】:

本发明公开了一种反激同步整流电路,包括:第一同步整流模块,用于产生与原边MOSFET的控制信号互补的副边驱动控制信号;第二同步整流模块,用于根据副边MOSFET的漏极电平和源极电平产生同步整流控制信号;同步整流信号处理模块,用于采集副边驱动控制信号的和同步整流控制信号,并根据所述副边驱动控制信号的上升沿和所述驱动控制信号的下降沿得到所述副边MOSFET的驱动信号;副边驱动模块,所述副边驱动模块用于利用驱动信号驱动所述副边MOSFET。整个反激同步整流电路可以在开始导通和关断时刻均提高反激电路的效率,既可以提高轻载时的效率也可以提高重载时的效率;同时可以抑制次级侧的电压尖峰,提高电路可靠性。

技术领域

本发明属于电力电子技术领域,具体涉及一种反激同步整流电路。

背景技术

同步整流电路应用广泛,能显著提高电源模块的转换效率。当同步整流电路在轻载或空载时,电感电流不连续,此时完全与输入反向的同步整流信号会导致输出出现反向电流,在电路中产生多余的环流,增加轻载和空载损耗,在并联时还可能在次级产生电压尖峰,对同步整流管造成损伤;而检测输出与变压器电平关系的同步整流技术,由于采样以及信号产生延时,会使同步整流在开启前出现二极管导通,增加损耗。

四川甘华电源科技有限公司在其专利申请文件“同步整流切换电路及同步整流电路”中公开了一种同步整流切换电路及同步整流电路,该电路通过比较同步整流电路中的输出电压或输入电流与基准值的大小,并可以通过控制电路根据比较结果以及PWM(PulseWidth Modulation,脉冲宽度调制)时钟控制信号,输出开启信号或关闭信号。由于控制电路的输出信号与PWM时钟控制信号相关,使得控制电路可以在PWM信号结束时输出控制信号,从而使得同步整流电路可以在电流为正向被关闭。使同步整流电路在轻载或空载时不会出现环流,在关闭时刻也不会出现电压尖峰,位于次级的场效应管也就不会出现被电压尖峰击穿的情况。同时在轻载或空载时关闭同步整流,可以提高同步整流电路的可靠性,并降低同步整流电路的空载损耗。该电路电压开启时间由取样电路和基准值比较得到,延时较大,导致开启时同步整流MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor,金属-氧化物半导体场效应晶体管)的体二极管导通损耗较大,关断时采用检测输入电流和输出电平,时间较长,关断时间会晚于实际零电流时刻,会产生小的环流。

因此,研制一种电路开启时间准确,降低同步整流MOSFET体二极管导通时间,关断时间准确,最高限度降低环流的同步整流技术已经成为亟待解决的问题。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题,本发明提出了一种反激同步整流电路。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现:

一种反激同步整流电路,包括:

第一同步整流模块,所述第一同步整流模块用于产生与原边MOSFET的控制信号互补的副边驱动控制信号;

第二同步整流模块,所述第二同步整流模块用于根据副边MOSFET的漏极电平和源极电平产生同步整流控制信号;

同步整流信号处理模块,所述第一同步整流模块和所述第二同步整流模块连接所述同步整流信号处理模块,所述同步整流信号处理模块用于采集副边驱动控制信号的和同步整流控制信号,并根据所述副边驱动控制信号的上升沿和所述驱动控制信号的下降沿得到所述副边MOSFET的驱动信号;

副边驱动模块,所述同步整流信号处理模块连接所述副边驱动模块,所述副边驱动模块用于利用驱动信号驱动所述副边MOSFET。

在本发明的一个实施例中,所述第一同步整流模块具体用于通过隔离方式产生与原边MOSFET的控制信号互补的副边驱动控制信号。

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