[发明专利]一种低电容曲面压敏电阻器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202011582612.8 申请日: 2020-12-28
公开(公告)号: CN112635142A 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 覃远东;梁自伟;黄绍芬;朱晓玲 申请(专利权)人: 广西新未来信息产业股份有限公司
主分类号: H01C7/12 分类号: H01C7/12;H01C7/105;H01C17/00;H01C17/30
代理公司: 北海市佳旺专利代理事务所(普通合伙) 45115 代理人: 黄建中
地址: 536000 广西壮*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 一种 电容 曲面 压敏电阻 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种低电容曲面压敏电阻器,其特征在于,所述低电容曲面压敏电阻器包括曲面压敏电阻瓷体(8)、引出电极(6);所述曲面压敏电阻瓷体(8)为半球体,底部半球平面中心向内凹陷形成一个半球状凹陷;曲面压敏电阻瓷体(8)的外圆弧面(7)和内圆弧面(4)上分别设置有一层银电极;外圆弧面(7)底部银电极层的外部还设置有一圈锡,形成锡圈层(2);外圆弧面(7)没有被被锡包围的部分还包裹有环氧树脂,形成环氧树脂包封层(1);引出电极(6)通过焊锡(5)固定在设置有银电极的内圆弧面(4)上;曲面压敏电阻瓷体(8)的底部半球平面设置有玻璃绝缘层(3)。

2.如权利要求1所述的一种低电容曲面压敏电阻器的制造方法,其特征在于,所述方法的具体步骤是:

(1)将喷雾造粒后的压敏电阻瓷体粉料干压成型,压制成密度为3.10~3.40 克/立方厘米的半球体状压敏电阻生坯体,半球平面中心向内凹陷形成一个半球状凹陷;

(2)将步骤(1)中的压敏电阻生坯体550℃~650℃排胶后进行烧结,烧结温度为1050℃~1250℃,即得到曲面压敏电阻瓷体(8);

(3)在步骤(2)中烧结好的曲面压敏电阻瓷体外圆弧面(7)和内圆弧面(4)上分别磁控溅射银电极(4)和(7);

(4)在步骤(3)中溅射有银电极的曲面压敏电阻瓷体的外圆弧面(7)底部磁控溅射一圈锡电极层形成锡圈层(2);

(5)在步骤(4)中曲面压敏电阻瓷体(8)的底部半球平面上丝网印刷绝缘玻璃浆料,然后在100℃~300℃下烘干完成后,再在550℃~850℃回火炉中回火,回火完成后在底部半球平面上丝网印刷绝缘玻璃浆料形成玻璃绝缘层(3);

(6)将引出电极(6)的一端通过焊锡(5)与步骤(5)中溅射有银电极(4)的内圆弧面(4)焊接牢固,实现紧密连接,得到低电容曲面压敏电阻器芯片;

(7)然后将步骤(6)中的低电容曲面压敏电阻器芯片在100℃~160℃下烘烤20分钟~120分钟,然后将低电容曲面压敏电阻器芯片外圆弧面(7)上不溅射有锡圈层(2)的区域喷涂环氧树脂包封层(1),然后在160℃~200℃下固化100分钟~200分钟,即得到低电容曲面压敏电阻器。

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