[发明专利]氮化铝导体材料及氮化铝全陶瓷加热结构器件在审
申请号: | 202011582227.3 | 申请日: | 2020-12-28 |
公开(公告)号: | CN112573926A | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 孙伟;李丽霞 | 申请(专利权)人: | 无锡海古德新技术有限公司 |
主分类号: | C04B35/581 | 分类号: | C04B35/581;C04B35/622;C04B35/64;H05B3/14 |
代理公司: | 北京商专润文专利代理事务所(普通合伙) 11317 | 代理人: | 苏霞 |
地址: | 214000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化 导体 材料 陶瓷 加热 结构 器件 | ||
1.氮化铝导体材料,其特征在于,由氮化铝粉体、助烧剂、分散剂、粘结剂、有机溶剂和金属粉体制备获得。
2.根据权利要求1所述的氮化铝导体材料,其特征在于,所述氮化铝粉体为碳还原法或直接氮化法生成的氮化铝粉体。
3.根据权利要求1所述的氮化铝导体材料,其特征在于,所述助烧剂为Dy2O3、CaO、Li2O、YF3或者CaF2中的一种或者多种混合。
4.根据权利要求1所述的氮化铝导体材料,其特征在于,所述分散剂为鱼油、蓖麻油或者三油酸甘油脂中的一种或者多种混合,所述粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛。
5.根据权利要求1所述的氮化铝导体材料,其特征在于,所述有机溶剂为丁酮或者无水乙醇中的一种或者两种混合。
6.根据权利要求1所述的氮化铝导体材料,其特征在于,所述金属粉体为Ti、Mo、Ta、NiCo或者W中的一种或者多种混合。
7.根据权利要求1所述的氮化铝导体材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤a:将氮化铝粉体、助烧剂、分散剂、粘结剂、有机溶剂和金属粉体通过球磨机进行10-30小时的均匀混合,得到浆料,将所述浆料进行真空除泡处理,并在≤150℃下烘干,得到粉末状混合物;
步骤b:将所述粉末状混合物置于模具内,并通过干压机或压力成型机于模具中成型得到素坯;
步骤c:将所述素坯置于排胶炉中,在≤800℃的温度下,氮气氛围中进行排胶处理,以排除所述素坯中的各种有机物,从而获得陶瓷素坯;
步骤d:将所述陶瓷素坯置于石墨烧结炉或金属真空烧结炉内,在1600℃-1860℃的温度下烧结4-6小时,获得氮化铝导体材料。
8.氮化铝全陶瓷加热结构器件,其特征在于,包括权利要求1所述的氮化铝导体材料和绝缘氮化铝材料,所述绝缘氮化铝材料由氮化铝粉体、助烧剂、粘结剂和有机溶剂制备获得。
9.根据权利要求8所述的氮化铝全陶瓷加热结构器件,其特征在于,所述绝缘氮化铝材料的制备方法为将氮化铝粉体、助烧剂,与溶剂、分散剂、粘结剂和有机助剂通过球磨机5-20小时的均匀混合后,获得混合物,再对所述混合物进行喷雾干燥造粒或者直接将所述混合物在≤90℃的温度下烘干后破碎、造粒,获得绝缘氮化铝材料。
10.根据权利要求8所述的氮化铝全陶瓷加热结构器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤e:取氮化铝导体材料,于所述氮化铝导体材料上覆盖一层绝缘氮化铝材料,再在此基础上,再次覆盖一层绝缘氮化铝材料,得到三层层压体,将所述三层层压体进行干压处理,压制成型为一体,获得胚体。
步骤f:将所述胚体,于热压烧结炉内在1600℃-1860℃的温度下烧结4-6小时,获得氮化铝全陶瓷加热结构器件。
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