[发明专利]一种在WC-Co硬质合金表面沉积金刚石薄膜的方法

权利要求书

1.一种在WC-Co硬质合金表面沉积金刚石薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

对WC-Co硬质合金需要沉积金刚石薄膜的表面进行预处理，然后用还原性的介质阻挡放电等离子体射流刻蚀所述表面，最后通过气相沉积法在刻蚀好的表面沉积金刚石薄膜即可。

2.根据权利要求1所述一种在WC-Co硬质合金表面沉积金刚石薄膜的方法，其特征在于，所述预处理的方式为：将WC-Co硬质合金需要沉积金刚石薄膜的表面放入强酸性溶液中进行腐蚀处理，将腐蚀好的合金放入无水乙醇与金刚石粉末混合溶液中超声处理10min～30min，最后再次放入无水乙醇中清洗并干燥。

3.根据权利要求2所述一种在WC-Co硬质合金表面沉积金刚石薄膜的方法，其特征在于，所述金刚石粉末的大小为10um-20um。

4.根据权利要求2所述一种在WC-Co硬质合金表面沉积金刚石薄膜的方法，其特征在于，所述无水乙醇与金刚石粉末混合溶液中金刚石粉末在无水乙醇中的质量体积比为0.1～0.3g/mL。

5.根据权利要求2所述一种在WC-Co硬质合金表面沉积金刚石薄膜的方法，其特征在于，所述强酸性溶液为体积分数1～5％的硫酸溶液或硝酸溶液。

6.根据权利要求1所述一种在WC-Co硬质合金表面沉积金刚石薄膜的方法，其特征在于，所述气相沉积法为热丝化学气相沉积；所述还原性的介质阻挡放电等离子体的电气压为20KPa-100KPa。

7.根据权利要求1～6任一项所述一种在WC-Co硬质合金表面沉积金刚石薄膜的方法，其特征在于，所述气相沉积法的工艺参数为：沉积气压为0.5-5KPa，沉积温度为600-1000℃，碳源为CH₄或者丙酮，形核时间为5～15min，生长时间为3～6h。

8.根据权利要求1所述一种在WC-Co硬质合金表面沉积金刚石薄膜的方法，其特征在于，所述还原性的介质阻挡放电等离子体是由H₂/Ar混合气体激发电离产生的。

9.根据权利要求8所述一种在WC-Co硬质合金表面沉积金刚石薄膜的方法，其特征在于，所述H₂/Ar混合气体中H₂所占的比例为2～5％。

10.根据权利要求1所述一种在WC-Co硬质合金表面沉积金刚石薄膜的方法，其特征在于，所述还原性的介质阻挡放电等离子体的输出功率为200w-600w，所述还原性的介质阻挡放电等离子体射流刻蚀的处理时间2min-10min。