[发明专利]一种具有中空结构的铁掺杂二硒化钼纳米材料及其制备方法与电催化氮还原应用在审

专利信息
申请号: 202011572917.0 申请日: 2020-12-24
公开(公告)号: CN112663076A 公开(公告)日: 2021-04-16
发明(设计)人: 丁良鑫;滕浩;郭浩;罗荻 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: C25B1/27 分类号: C25B1/27;C25B11/091;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 何淑珍;江裕强
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 中空 结构 掺杂 二硒化钼 纳米 材料 及其 制备 方法 电催化 还原 应用
【权利要求书】:

1.一种具有中空结构的铁掺杂的二硒化钼纳米材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)将硒粉溶解于水合肼中,得到水合硒前驱体溶液;将钼盐和铁盐溶解于DMF中,得到金属盐溶液;

(2)将步骤(1)所述水合硒前驱体溶液加入金属盐溶液中,混合均匀,得到混合液;将所述混合液升温进行溶剂热反应,将溶剂热反应的产物洗涤,干燥,得到所述具有中空结构的铁掺杂的二硒化钼纳米材料。

2.根据权利要求1所述的具有中空结构的铁掺杂的二硒化钼纳米材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述钼盐为二水合钼酸钠;所述铁盐为醋酸铁。

3.根据权利要求1所述的具有中空结构的铁掺杂的二硒化钼纳米材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述硒粉与水合肼的摩尔体积比为0.020-0.030:1mmol/mL。

4.根据权利要求1所述的具有中空结构的铁掺杂的二硒化钼纳米材料的制备方法,其特征在于,在步骤(1)所述金属盐溶液中,钼盐的浓度为3.60-4.20umol/mL,铁盐的浓度为0.04-0.050umol/mL。

5.根据权利要求1所述的具有中空结构的铁掺杂的二硒化钼纳米材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述硒粉、钼盐、铁盐的物质的量之比为11-28:7-10:1。

6.根据权利要求1所述的具有中空结构的铁掺杂的二硒化钼纳米材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述溶剂热反应的温度为180-220℃。

7.根据权利要求1所述的具有中空结构的铁掺杂的二硒化钼纳米材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述溶剂热反应的时间为12-18h。

8.根据权利要求1所述的具有中空结构的铁掺杂的二硒化钼纳米材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述干燥的方式为真空干燥;所述干燥的温度为70-80℃,干燥的时间为6-12h。

9.一种由权利要求1-8任一项所述的制备方法制得的具有中空结构的铁掺杂的二硒化钼纳米材料。

10.权利要求9所述的具有中空结构的铁掺杂的二硒化钼纳米材料在氮还原反应中作为电催化剂的应用。

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