[发明专利]一种堆叠栅极结构的GaN基常关型HEMT器件在审
| 申请号： | 202011572787.0 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112635557A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李成果;曾巧玉;尹雪兵;葛晓明;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/20 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 堆叠 栅极 结构 gan 基常关型 hemt 器件 | ||
1.一种适用于常关型HEMT器件的堆叠栅极结构，其特征在于，由下到上依次层叠有隔离层、p型掺杂层和栅电极，其中，所述隔离层为含铟的三族氮化物半导体薄膜，所述p型掺杂层为p型掺杂的三族氮化物半导体薄膜。
2.根据权利要求1所述的堆叠栅极结构，其特征在于，所述隔离层的材料为InGaN；所述p型掺杂层的材料为p-GaN。
3.一种堆叠栅极结构的GaN基常关型HEMT器件，其特征在于，包括源电极、漏电极、权利要求1或2所述的堆叠栅极结构以及由下到上依次层叠的衬底层、缓冲层、沟道层和势垒层，所述势垒层的上表面的两端连接源电极和漏电极，源电极和漏电极与势垒层分别形成欧姆接触，所述堆叠栅极结构位于源电极和漏电极之间，且堆叠栅极结构的隔离层与势垒层的上表面连接。
4.根据权利要求3所述的堆叠栅极结构的GaN基常关型HEMT器件，其特征在于，所述势垒层为三族氮化物半导体薄膜，且势垒层与沟道层在两者界面处共同形成二维电子气。
5.根据权利要求4所述的堆叠栅极结构的GaN基常关型HEMT器件，其特征在于，所述势垒层的材料为AlGaN或InAlN。
6.根据权利要求3所述的堆叠栅极结构的GaN基常关型HEMT器件，其特征在于，所述沟道层为三族氮化物半导体薄膜。
7.根据权利要求6所述的堆叠栅极结构的GaN基常关型HEMT器件，其特征在于，所述沟道层的材料为GaN。
8.根据权利要求3所述的堆叠栅极结构的GaN基常关型HEMT器件，其特征在于，所述缓冲层为三族氮化物半导体薄膜。
9.根据权利要求8所述的堆叠栅极结构的GaN基常关型HEMT器件，其特征在于，所述缓冲层的材料为AlN、AlGaN或GaN。
10.根据权利要求3所述的堆叠栅极结构的GaN基常关型HEMT器件，其特征在于，所述衬底层的材料为蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓或金刚石。
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