[发明专利]一种PERC双面电池背膜优化工艺

权利要求书

1.一种PERC双面电池背膜优化工艺，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、制绒：采用槽式制绒设备，对单晶硅片进行制绒处理，形成金字塔绒面；

步骤2、扩散：采用管式高温扩散技术，对硅基体掺硼制备PN结；

步骤3、激光掺杂：对电池正面需金属化下方进行重掺杂；

步骤4、：前氧化：搭配碱抛光技术，对激光区域热氧化处理，提升激光区域抗碱腐蚀能力；

步骤5、：碱抛光：抛光去除硅片边缘PN结及表面缺陷,使背表面平整；

步骤6、制作电池片背面钝化膜层：使用PECVD技术，在硅片背表面沉积氧化铝薄膜，然后再在三氧化二铝薄膜表面沉积氮化硅薄膜，氮化硅薄膜包括4层不同折射率的氮化硅膜层，4层氮化硅膜层的折射率为高中中低排布，其中底层为高折射率；

步骤7、制作电池片正面钝化膜层；

步骤8：使用丝网印刷技术，制备电池片的正电极，背电极及背场；

步骤9、退火：使用高温烧结技术，使金属与硅之间形成良好的欧姆接触，电注入退火；

步骤10、测试分选电池片的电性能。

2.根据权利要求1所述的一种PERC双面电池背膜优化工艺，其特征在于，步骤6中，在硅片背表面沉积10nm-14nm氧化铝薄膜，然后再在三氧化二铝薄膜表面沉积70nm—80nm氮化硅薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种PERC双面电池背膜优化工艺，其特征在于，步骤7中，使用PECVD技术，在硅片正表面沉积70-80nm氮化硅薄膜。