[发明专利]一种组合物及包含其的有机电致发光元件在审
| 申请号: | 202011571816.1 | 申请日: | 2020-12-27 | 
| 公开(公告)号: | CN112608737A | 公开(公告)日: | 2021-04-06 | 
| 发明(设计)人: | 王子兴;夏蓉蓉;陈清泉;吴空物;赵晓宇 | 申请(专利权)人: | 浙江华显光电科技有限公司;上海大学 | 
| 主分类号: | C09K11/06 | 分类号: | C09K11/06;H01L51/54 | 
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| 地址: | 314107 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 组合 包含 有机 电致发光 元件 | ||
1.一种组合物,其特征在于,包含一种铱金属配合物和一种有机化合物,其中铱金属配合物的结构式如式(I)所示;有机化合物的结构式(II)或式(III)所示
在式(I)中,A1构成五元及以上环,选自C2~C60烷基、C1~C60烷氧基、含C1~C60烷硅基、含C1~C60烷氧硅基、C6~C40的芳基,C1~C40的杂芳基;X选自NR1、O、S、CR1R2、SiR1R2、O=P-R1或B-R1;Y选自N或C-R3;R1至R5独立选自氢、氘、卤素、C1~C18烷基、C1~C18烷氧基、含C1~C18烷硅基、含C1~C18烷氧硅基、C6~C40的芳基,C1~C40的杂芳基、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基、取代或未取代的氧膦基的任意一种,;(L^Z)为辅助配体,为二齿配体,其与上述结构式左侧的主配体相同或不同;所有基团可以被部分氘代或全氘代;m取自1、2或3,且m+n=3;杂芳基是指含有B、N、O、S、P(=O)、Si、P中至少一个杂原子。
在式(II)和式(III)中,X1至X6为CR或N;Y1至Y8为CR或N,且至少有2个为N;L不存在或选自单键、O、S、CRR、SiRR、NR;A和B各自独立地选自C6-C30芳基、C2-C30杂芳基;R独立地选自取代或未取代的C1-C15烷基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C2-C60杂芳基、芳基或杂芳基取代的胺基;n为0至6的整数;相邻的X或Y可以形成环;所有基团可以被部分氘代或全氘代。
2.根据权利要求1所述的组合物,其特征在于,其中式(I)所述的铱金属配合物的(L^Z)选自以下代表结构式的一种:
其中,Y选自O或N;R1至R3独立选自C1~C18烷基、C1~C18烷氧基、含C1~C18烷硅基、含C1~C18烷氧硅基、C6~C40的芳基、C1~C40的杂芳基;A和B成环或未成环地选自C1~C60烷基、C1~C60烷氧基、含C1~C60烷硅基、含C1~C60烷氧硅基、C6~C40的芳基,C1~C40的杂芳基,A2和B2可以根据价键原则进行单取代或多取代,所有基团可以被部分氘代或全氘代。
3.根据权利要求1至2任一一项所述的组合物,其特征在于,其中式(I)所述的铱金属配合物结构式选自下列代表性的结构:
其中X,Y,R1至R8,A2和B2与权利要求1和权利要求2所述相同。
4.根据权利要求1至3任一一项所述的组合物,其特征在于,其中式(I)所述的铱金属配合物中(L^Z)选自以下代表结构式的一种:
其中X选自NR1、O、S、CR1R2、SiR1R2、O=P-R1或B-R1;R1至R5独立地选自C1~C18烷基、C1~C18烷氧基、含C1~C18烷硅基、含C1~C18烷氧硅基、C6~C40的芳基、C1~C40的杂芳基,可以被部分氘代或全氘代。
5.根据权利要求1至4任一一项所述的组合物,其特征在于,其中式(I)所述的铱金属配合物选自下列代表性的结构:
6.根据权利要求1所述的组合物,其特征在于,式(II)选自II-1至II-7所述的化合物
其中,X1至X6,L,A,B,R,n与权利要求1相同。
7.根据权利要求1所述的组合物,其特征在于,式中A和B选自以下结构所述的基团:
其中,X1至X6,Y1至Y8,L,R,n与权利要求1相同。
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